Analog Devices Inc. ADL8124統合低ノイズアンプ(LNA)
アナログ・デバイセズ（Analog Devices）ADL8124統合低ノイズアンプ(LNA) は、高性能デュアルチャンネルLNAで、1GHz ～ 20GHzの周波数範囲で動作するアプリケーション向けに最適化されています。高度GaAs pHEMT技術を使用して設計されたアナログ・デバイセズ（Analog Devices）ADL8124は、広い帯域幅全体で2.1dB（標準）の低ノイズ指数および15dBの標準ゲインを実現しています。これらのLNAはテスト機器、計器、レーダー、通信システムといった要求の厳しいRFおよびマイクロ波システムに最適です。
アンプは、3.3V単電源（5Vにも対応）で動作し、集積バイアス回路、温度センサ、有効/無効機能が搭載されています。これらの機能によってシステム設計が簡素化され、外付け部品要件が削減されます。ADL8124は、-55°C ～ +125°Cの拡張温度範囲での動作に指定されており、コンパクトな2mm × 2mm、8リード LFCSPパッケージでご用意があります。優れた直線性、広帯域性能、スペースに制約のある設計に適した小型フットプリントです。
特徴
- 3.3V正の単電源、5Vもサポート
- 調整可能な55mAの自己消費ドレイン電流(IDQ)
- RBIASドレイン電流調整ピン
- 集積温度センサ
- 統合有効および無効機能
- 10GHz ～ 17GHzの標準15dBゲイン
- 10GHz～17GHz の1dB圧縮(OP1dB)向け標準15dBm出力電力
- 10GHz～ 17GHzの43dBm標準出力2次インターセプト(OIP2)
- 10GHz ～ 17GHzの29dBm標準出力3次インターセプト(OIP3)
- 10GHz～17GHzの標準ノイズ指数2.1dB
- 最大RF入力電力耐性(RFIN)：28dBm
- +85°Cで0.9W、+125°Cで0.46Wの最大連続電力損失
- ガリウム砒素(GaAs)、擬似格子整合高電子移動度トランジスタ(pHEMT)プロセスで製造
- 熱抵抗範囲：86.1°C/W ～ 108.5°C/W
- ANSI/ESDA/JEDEC JS-001に準じたClass 1B ESD定格、±500V人体モデル(HBM)
- -55°C～+125°Cに動作温度範囲を拡張済
- 2mm × 2mm、8リード LFCSPパッケージ
- RoHS準拠
アプリケーション
- 通信
- テスト機器
- 軍事関連
機能ブロック図
インターフェイスの回路図
簡素化されたアーキテクチャ
標準アプリケーション回路
開発ツール
Analog Devices Inc. EVAL-ADL8124評価ボード
ADL8124デュアルチャンネル低ノイズアンプ(LNA)のテストと特性評価を簡素化します。
公開: 2025-10-24
| 更新済み: 2025-10-30