Analog Devices Inc. ADPA1112 GaNパワーアンプ

アナログ・デバイセズ (Analog Devices) ADPA1112 窒化ガリウム(GaN)パワーアンプは、15W、1GHz〜22GHzの広帯域パワーアンプです。ADI ADPA1112 アンプは、8GHz~16GHzの周波数範囲および28.0dBmの入力電力(PIN)において、42dBmの飽和出力電力(POUT)、25%の電力付加効率(PAE)、14dB(代表値)の電力利得を実現しています。RF入力とRF出力は内部整合されており、AC結合されています。バイアスインダクタを内蔵したVDD1およびVDD2ピンには、28Vのドレインバイアス電圧(VDD)が印加されます。ドレイン電流は、VGG1ピンに負電圧を印加することによって設定されます。温度補償型RF検出器を内蔵しており、RF出力電力のモニタリングが可能です。これらのGaNプロセス製造デバイスは、-40°C〜+85°Cの範囲で動作します。

特徴

  • 周波数範囲:1GHz~22GHz
  • 50Ω整合入出力
  • 電力利得:8GHz~16GHzで14dB(代表値)
  • 出力電力:8GHz~16GHzで42dBm(代表値)
  • PAE:8GHz~16GHzで25%(代表値)
  • S21:8GHz~16GHzで20.5dB(代表値)
  • 標準OIP3:44dBm(8GHz〜16GHz時)
  • 集積RFパワー検出器
  • VDD :28V
  • IDQ :600mA
  • 動作温度範囲: -40°C~+85°C

アプリケーション

  • 電子戦
  • テスト・測定装置

PIN構成

機械図面 - Analog Devices Inc. ADPA1112 GaNパワーアンプ

インターフェイスの回路図

回路図 - Analog Devices Inc. ADPA1112 GaNパワーアンプ

基本ブロック図

ブロック図 - Analog Devices Inc. ADPA1112 GaNパワーアンプ

標準アプリケーション回路

アプリケーション回路図 - Analog Devices Inc. ADPA1112 GaNパワーアンプ
公開: 2025-09-30 | 更新済み: 2025-10-13