Analog Devices Inc. ADPA1116 GaN パワーアンプ

Analog Devices ADPA1116GaN パワーアンプは、39.5dBmの飽和出力電力（P_OUT）、40%の電力付加効率（PAE）、16,0dBmの入力電力（P_IN）における0.5GHzから5GHzまでの23.5dB典型的な電力利得を特徴としています。RF入力と出力は内部整合され、AC結合されています。ドレイン・バイアス電圧28Vが V_{DD1 と VDD2 端子に印加されます。V DD1 と V DD2} 端子にはバイアス・インダクタが内蔵されています。ドレイン電流は V_GG1 端子の負電圧で設定します。ADPA1116は窒化ガリウム（GaN）プロセスで製造され、32-leadチップスケールパッケージで提供されます。ADIADPA1116アンペアは、-40°Cから+85°Cまでの動作用に指定されています。