特徴
- 統合デュアルチャンネルRFフロントエンド
- 2段階LNAおよびハイパワーSPDTスイッチ
- オンチップ・バイアスとマッチング
- 単電源動作
- ゲイン
- 高ゲインモード: 33dB (標準) @ 4.6GHz
- 低ゲインモード: 18dB(標準)@ 4.6GHz
- 低ノイズ値
- 高ゲインモード: 1.6dB(標準)@ 4.6GHz
- 低ゲインモード: 1.6dB(標準)@ 4.6GHz
- 高絶縁
- RxOut-ChAおよびRxOut-ChB: 45dB(標準)
- TERM-ChAおよびTERM-ChB: 53dB(標準)
- 低挿入損失: 0.5dB(標準)@ 4.6GHz
- ハイパワー対応@ TCASE = 105°C
- 全寿命
- LTE平均電力 (9dB PAR): 40dBm
- 単一イベント(< 10秒動作)
- LTE平均電力 (9dB PAR): 43dBm
- 全寿命
- 高OIP3: 31dBm(標準)
- パワーダウンモードと低ゲインモード(LNA向け)
- 低供給電流
- 高ゲインモード: 5Vで86mA typical
- 低ゲインモード: 5Vで36mA typical
- パワーダウンモード: 5Vで12mA typical
- 正論理制御
- 6mm×6mm、40リードLFCSP (36mm2)
アプリケーション
- 無線インフラストラクチャ
- TDD大規模多入力多出力(大規模MIMO)およびアクティブアンテナシステム
- TDDベースの通信システム
機能ブロック図
公開: 2019-10-09
| 更新済み: 2024-03-11

