Analog Devices Inc. LTC7890/1 同期式降圧コントローラ

Analog Devices LTC7890/1 同期式降圧コントローラは、すべてのNチャネル同期窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）のパワー段を入力電圧から最大100Vまで駆動できる、高性能のDC/DCスイッチングレギュレータコントローラです。LTC7890/1 コントローラは、従来GaN FETを使用する際に直面していた課題へのソリューションとなります。このデバイスは、シリコン金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）ソリューションと比較して、保護ダイオードや追加の外付け部品が不要のため、アプリケーション設計を簡素化します。

ADI LTC7890/1 同期式降圧コントローラは、スマート・ブートストラップ・スイッチを内蔵しており、デッドタイム中のBOOSTピンからSWピンへのハイサイドドライバ電源の過充電を防ぎ、GaN FET上部のゲートを保護します。さらに、LTC7890/1は、ほぼゼロのスマートデッドタイムを実現するために両方のスイッチングエッジでゲートドライバのタイミングを内部で最適化しているため、効率が大幅に向上し、入力電圧が大きな場合でも高周波動作が可能になります。ユーザーは、マージンを確保したりアプリケーションに適合させるために、外部抵抗を使用してデッドタイムを調整することができます。

性能を最適化し、さまざまなGaN FETやロジックレベルのMOSFETも使用できるように、LTC7890/1のゲート駆動電圧は4V～5.5Vの間で正確に調節できます。

LTC7890は40ピン（6mm × 6mm）のサイドウェッタブルQFNパッケージで、LTC7891は28ピン（4mm×5mm）のサイドウェッタブルQFNパッケージで提供されます。

特徴

GaN FET向けに完全に最適化されたGaN駆動技術
広いV_IN 範囲：4V～100V
広い出力電圧範囲：0.8V ≤ V_OUT ≤ 60V
キャッチ、クランプ、ブートストラップダイオードが不要
内蔵のスマート・ブートストラップ・スイッチにより、ハイサイドドライバ電源の過充電を防止
内部で最適化されたほぼゼロのスマートデッドタイム、または抵抗により調整可能なデッドタイム
ゲートドライバのスプリット出力により、ターンオンとターンオフのドライバ強度を調整可能

正確に調整可能なドライバ電圧とUVLO
低動作I_Q ：5μA（48V_IN 〜5V_OUT）
プログラム可能な周波数（100kHz〜3MHz）
フェーズロック可能な周波数（100kHz～3MHz）
スペクトラム拡散周波数変調
パッケージ
- 40ピン（6mm × 6mm）、サイドウェッタブル、QFNパッケージ（LTC7890）
- 28ピン（4mm × 5mm）サイドウェッタブル、QFNパッケージ（LTC7891）