Avalanche Technology パラレルP-SRAMメモリ
Avalanche Technology パラレル・パーシステントSRAMメモリは、1Mbit～32Mbitの密度範囲を提供する磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）です。P-SRAMメモリは、2.7V～3.6Vの電圧範囲で動作します。P-SRAMメモリデバイスは、小型フットプリント54ピンTSOP、44ピンTSOP、48ボールFBGAパッケージでご用意があります。これらのパッケージは、類似の低消費電力揮発性および非揮発性製品との互換性があります。パラレル・パーシステントSRAMメモリデバイスは、-40°C～85°Cの産業用および-40°C～105°Cの工業PLUS動作温度範囲で販売されています。
MRAMテクノロジーは、SRAM互換の読取/書込タイミング（永続的なSRAM、P-SRAM）が搭載されたフラッシュテクノロジーに類似しています。MRAMは、真のランダム・アクセス・メモリで、メモリでランダムに読取と書込の両方を発生させることができます。MARMは、大幅なレイテンシ・ペナルティを発生させずにデータを保存して取得する必要があるアプリケーションに最適 この技術は低レイテンシ、低消費電力、事実上無制限の耐久性とデータ保持、高性能、スケーラブルメモリ技術を提供します。
特徴
- インターフェイス：
- 並列非同期x16
- テクノロジー:
- 40nm pMTJ STT-MRAM:
- 実質的に無制限の耐久性とデータ保持
- 40nm pMTJ STT-MRAM:
- 密度:
- 1Mbit、4Mbit、8Mbit、16Mbit、32Mbit
- 動作電圧範囲：
- VCC: 2.7V～3.6V
- 動作温度範囲:
- 工業用: -40°C～85°C
- 工業Plus: -40°C～105°C
- パッケージ:
- 44ピンTSOP（10mm x 18mm）
- 54ピンTSOP（10mm x 22mm）
- 48ボールFBGA（10mm x 10mm）
- メモリアレイ組織：
- 1Mbit: 65,536 x 16
- 4Mbit: 262,144 x 16
- 8Mbit: 524,288 x 16
- 16Mbit: 1,048,576 x 16
- 32Mbit: 2,097,152 x 16
- RoHS準拠
ブロック図
関連のあるP-SRAMメモリ
Avalanche Technology Serial P-SRAM Memory
Offers a density range from 1Mbit to 16Mbit, low latency, and low power.
公開: 2021-01-21
| 更新済み: 2022-03-11