Bourns 2011 GDTは高速に動作し、Bourns® TBU®高速プロテクタ(HSP)との併用を目的に設計されています。これらのコンポーネントは、TBU®デバイスの最高電圧インパルス定格(Vimp)以下のレベルまで、上昇電圧過渡の高レートを制限します。2011 GDTは、TBU® HSPと並んで、小型サイズ、堅牢な通電対応、優れた電圧制限が必須のあらゆるアプリケーションでの使用に適しており、RS-485アプリケーションに最適な保護ソリューションです。
特徴
- 大きなフラット・トップ表面があり、軽量で、高速ピック・アンド・プレースに最適
- 堅牢な電流定格
- 長期信頼性と安定的な性能
- 低漏洩
- 電圧に関係なく一定の容量
- 低アーク電圧
- 標準5mm SMD GDTに比べて高さを大幅に削減
- TBU®高速プロテクタとの併用を目的とした気密機器に適した電圧制限
- ハロゲンフリーおよびRoHS準拠
アプリケーション
- 通信装置
- 工業通信
- サージ保護機器
- 高密度PCBアセンブリ
仕様
- DCスパークオーバー(100V/s)
- 最低: 60V
- 最高: 350V
- インパルス・スパークオーバー (5kV 1.2/50µs): 最高650V
- 動作/ストレージ温度範囲: -40°C~+90°C
- 感湿性レベル: 1
- 絶縁抵抗: 50V >10MΩ
- 容量: 1MHz <2.9pF
公開: 2019-01-04
| 更新済み: 2023-03-14

