Broadcom AFBR-S4N22P014M NUV-MT光電子増倍管アレイ
ブロードコム (Broadcom) AFBR-S4N22P014M NUV-MT光電子増倍管アレイは、単一光子の超高感度精密測定を目的に設計されています。この光電子増倍管アレイは、優れたシングル光子時間分解能(SPTR) およびCRTが特徴です。また、この光電子増倍管アレイには、優れた破壊電圧とデバイス間のゲイン均一性も備わっています。AFBR-S4N22P014M SiPMアレイは、高透過性エポキシ保護層を採用し、可視光スペクトルにおいて広帯域応答を実現するとともに、青色および近紫外領域に対して高感度を有しています。本フォトマルチプライヤアレイは、－20°C～60°Cの動作温度範囲に対応し、RoHS、CFM、REACH規格に準拠しています。代表的なアプリケーションとして、X線・ガンマ線検出、核医学、PET（陽電子放射断層撮影）、安全保障、物理学実験、チェレンコフ光検出が挙げられます。
特徴
- 420nmで63%の高光検出効率（PDE）
- 4面傾斜、高フィルファクタ
- 40μmのセルピッチ
- 透明度の高いエポキシ保護層
- -20°C～60°Cの動作温度範囲
- シングルチャンネル
- 優れたSPTRとCRT
- デバイス間における優れた均一性の破壊電圧とゲイン
- RoHS、CFM、REACHに準拠
仕様
- 最高はんだ付け温度：245°C
- 最大静電放電電圧能力（HBM）：2kV
- 最大静電放電電圧能力（CDM）：500V
- 最高動作過電圧：16V
- 素子あたり標準暗電流：0.98µA
- 標準破壊電圧：32.5V
- 標準ピーク感度波長：420nm
- 標準公称端子容量：160pF
- 標準充電時定数：55ns
- パッケージ サイズ:2.71mm x 2.48mm
アプリケーション
- X線とガンマ線検知
- 原子力薬
- 陽電子放出断層撮影
- 安全とセキュリティ
- 物理学実験
- チェレンコフ検出
ブロック図
パッケージ外形
関連光電子増倍管
Broadcom シリコン光電子増倍管（SiPM）
単一光子レベルであっても非常に弱い光を検出するように設計されています。
評価キット
Broadcom AFBR-S4EP001 NIR30 SiPM評価キット
NIR30シリコン光電子増倍管の評価とデバイス特性を目的に設計されています。
アプリケーションノート
公開: 2024-01-31
| 更新済み: 2024-12-27