Diodes Incorporated DMT2004UF NチャンネルエンハンストモードMOSFET

Diodes Incorporated DMT2004UF MOSFETは、24V NチャンネルエンハンストモードMOSFETで、0.6mm薄型および4mm²フットプリントで設計されています。高い信頼性のためのAEC-Q101規格の認定を受けており、DMT2004UF MOSFETは、優れたスイッチング性能を維持しながらオン状態抵抗を最小限に抑えます。DMT2004UF MOSFETには、4.8-12.5mΩオン状態抵抗、0.55-1.45Vゲート閾値電圧、11.2-14.1A連続ドレイン電流、12.5W電力損失があります。スイッチング性能には、38.6nsターンオフ立ち下がり時間、9.6nsターンオン立ち上がり時間、標準30.8nsターンオフ遅延時間、標準3.9nsターンオン遅延時間、11.2nsリカバリ時間があります。24V DMT2004UF NチャンネルエンハンストモードMOSFETの設計によって、このデバイスは、効率性の高いパワーマネジメント・アプリケーションに最適です。