Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ

ダイオーズ (Diodes Incorporated) 2N7002 N チャンネル増強型(E モード)フィールド効果トランジスタ(FET)は、低電圧スイッチングアプリケーション向けに設計されています。これらの2N7002デバイスは、60Vの最高ドレイン-ソース電圧(VDS) 、105mA ~ 210mAの範囲の連続ドレイン電流(ID) 、7.5Ω ~ 13.5Ωの範囲の低オン抵抗[R DS(on)] を備えています。FETには、低ゲート電荷での高速スイッチング性能が備わっており、信号処理、負荷スイッチング、レベルシフティングアプリケーションに適しています。Diodes Inc.のトランジスタはコンパクトな SOT-23 パッケージに搭載されており、高密度回路設計において省スペース性を確保します。さらに、2N7002 FETは鉛フリーでRoHS準拠、かつ自動実装の表面実装組み立て向けに設計されています。

特徴

  • 低オン抵抗
  • 低ゲート閾値電圧
  • 低入力容量
  • 高速スイッチング速度
  • 小型表面実装SOT23パッケージ
  • J-STD-020による湿度感度レベル(MSL)1
  • 完全鉛フリー仕様で、完全RoHS準拠
  • ハロゲン・アンチモンフリー、グリーンデバイス

アプリケーション

  • モーター制御
  • 電力管理機能

仕様

  • 最大ドレイン-ソース/ゲート電圧:60V
  • 最大ゲート-ソース電圧
    • ±20V連続
    • パルス:±40V
  • 連続定常状態ドレイン電流範囲:105mA~210mA
  • 最大連続ボディダイオード順方向電流
    • 0.2A連続
    • パルス:0.5A
  • 最大パルスドレイン電流:800mA
  • 総電力損失:370mW〜540mW
  • オフ特性
    • 標準ドレイン・ソース破壊電圧:70V
    • ゼロゲート電圧ドレイン電流範囲:1.0µA(+25°C)~500µA(+125°C)
    • 最大ゲート-ボディリーク電流:±10nA
  • On特性
    • ゲート閾値電圧範囲:1.0V~2.5V
    • 最大静止ドレイン-ソースオン抵抗範囲:7.5Ω~13.5Ω
    • 標準オン状態ドレイン電流:1.0A
    • 最小順方向トランスコンダクタンス:80mS
    • 最大ダイオード順方向電圧:1.5V
  • 動的特性
    • 50pF最大入力容量、標準22pF
    • 出力容量:25pF(最大)、11pF(標準)
    • 逆伝達容量:5.0pF(最大)、2.0pF(標準)
    • 標準ゲート抵抗:120Ω
    • 標準全ゲート電荷:223pC
    • 標準ゲート-ソース電荷:82pC
    • 標準ゲート-ドレイン電荷:178pC
    • 標準ターンオン遅延時間:2.8ns
    • 標準ターンオン立ち上がり時間:3.0ns
    • 標準ターンオフ遅延時間:7.6ns
    • 標準ターンオフ下降時間:5.6ns
  • 最大熱抵抗:
    • 241°C/W~348°C/W(接合部~周囲)、
    • 91°C/W(接合部〜ケース
  • 動作温度範囲: -55°C~+150°C
  • UL 94V-0規格認定の成形プラスチック、「グリーン」モールド化合物を採用
  • マット錫メッキが施されたリード、MILSTD-202、Method 208に準じたはんだ付けに対応
公開: 2025-10-23 | 更新済み: 2025-10-31