Infineon Technologies MirrorBit Eclipseフラッシュメモリ
Cypress / S29GL512GT MirrorBit® Eclipse™Flashメモリには、15nsの高速ページアクセス時間が備わっています。 また、対応するランダムアクセス時間は100nsです。 1回の操作で最大256ワード/512バイトのプログラムが可能なライトバッファが特徴です。 これによって、標準のプログラミングアルゴリズムよりも効果的で高速のプログラミング時間がもたらされます。 これによって、これらのデバイスは、高密度、高性能、低消費電力を必要とする今日の埋込アプリケーションに理想的です。
特徴
- 45nm MIRRORBIT Eclipse technology
- Single supply (VCC) for read/program/erase (2.7V to 3.6V)
- Wide I/O voltage range (VIO): 1.65V to VCC
- x8/x16 data bus
- Asynchronous 32-byte page read
- Programming in page multiples, up to a maximum of 512-bytes
- Single word and multiple programs on the same word options
- Sector erase in uniform 128kB sectors
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Advanced sector protection
- Status register, data polling, and ready/busy pin methods to determine device status
- Separate 2048-byte one-time program array
- Temperature range: (-40°C to +85°C)
- Package options:
- 56-pin TSOP
- 64-ball Ball Grid Array, 13mm x 11mm
- Density options:
- 512MB
- 1GB
アプリケーション
- Automotive instrument clusters
- Automotive infotainment systems
- Hand-held displays
- Digital cameras
- Projectors
- Medical diagnostic equipment
- Factory automation
- Home automation appliances
Additional Resource
公開: 2016-06-28
| 更新済み: 2023-04-25