Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュール

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュールは、シリコン・カーバイド（SiC）MOSFETモジュールで、優れたレベルの効率とシステムの柔軟性が得られます。これらのモジュールには、近閾値回路（NTC）およびPressFITコンタクト技術が採用されています。Coolsicモジュールは、高電流密度、ベスト・イン・クラスのスイッチングと伝導損失が備わっており、低誘導設計になっています。これらのモジュールは、高周波数動作、電力密度の増大、開発サイクル時間とコストの最適化を実現しています。

特徴

高電流密度
ベスト・イン・クラスのスイッチング損失と導通損失
低誘導設計
低デバイス容量
逆回復電荷が備わっている真性ダイオード
統合NTC温度センサ
PressFITコンタクト技術

冷却作業を軽減するための高効率
閾値フリーのオン状態特性
温度に依存しないスイッチング損失
高周波数動作
増大した電力密度
開発サイクル時間とコストの最適化
RoHS準拠

仕様

DF23MR12W1M1とDF11MR12W1M1:
- ブースター構成
- Easy 1B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 寸法62.8mm x 33.8mm
FF8MR12W2M1とFF6MR12W2M1:
- デュアル構成
- Easy 2B筐体
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 寸法62.8mm x 48mm
F423MR12W1M1P:
- FourPack構成
- Easy 1B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 寸法62.8mm x 33.8mm

FF11MR12W1M1、FF45MR12W1M1、FF23MR12W1M1:
- デュアル構成
- Easy 1B筐体
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 寸法62.8mm x 33.8mm
F3L11MR12W2M1:
- 3レベル構成
- 簡単な2B構成
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 寸法42.5mm x 51mm
FS45MR12W1M1:
- SixPACK構成
- Easy 1B筐体
- M1技術
- 1200V電圧クラス
- 寸法62.8mm x 33.8mm