Infineon Technologies EVAL-1ED3330MC12M-SiC評価ボード
Infineon Technologies EVAL-1ED3330MC12M-SiC評価ボードは、1ED3330MC12M絶縁ゲートドライバ集積回路（IC）およびディスクリートパワースイッチを評価するように設計されており、ハーフブリッジ構成になっています。Infineon EVAL-1ED3330MC12M-SiCボードには、2つの1ED3330MC12M ICおよび2EP130RトランスドライバICで生成されたガルバニック絶縁オンボード電源が搭載されています。このボードには、2つの未組み立てIMZC120R012M2H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFETが搭載されており、TO247-4パッケージに収められていて、他のInfineonスイッチの評価用に代替可能です。
特徴
- 1ED3330MC12M 絶縁ゲートドライバ ICを評価する設計
- ハーフブリッジ構成で TO247-4 に収められた IMZC120R012M2H CoolSiC 1200V SiC トレンチ MOSFET（未組み立て）
- 最適なターンオン効率性のための純粋なPMOSソーシング段
- 短絡保護（DESAT）、ソフトOFF障害ターンOFF、アクティブミラークランプドライバ、アクティブシャットダウンといった集積保護機能
- 標準ピーク出力電流：12A
- 個別のソースとシンク出力
- 絶対最高出力供給電圧：35V
- 正と負の両方の供給レールでのSiC MOSFETの低電圧ロックアウト
- 75ns短伝搬遅延（標準）および厳密なIC対IC伝搬遅延整合
- 超高速DESAT検出と通知
- 高コモンモード過渡耐性CMTI > 200kV/µs
- 最適なPCBフットプリントのための8mm沿面距離が備わったファインピッチDSO-16ワイドボディパッケージ
- ゲートドライバ安全認証
- UL 1577（計画済）はVISOで認定済み、テスト = 6840VRMS（1秒間）、VISO = 5700V RMS（60秒間）
- IEC 60747-17に準拠した強化絶縁（計画済み）VIORM = 1767V
- ハーフブリッジの最適なスイッチング性能を保証するように設計されたPCBレイアウト
- ゲートドライバ出力側用の内蔵構成可能なオンボード絶縁電源で、標準バイポーラ駆動電圧を生成するように簡単に調整可能
- ゲートドライバ入力側用の内蔵電源で、3.3Vまたは5Vを生成するように簡単に構成可能
- 高速短絡保護とフィードバック
- すべてのゲートドライバ供給電圧のための低電圧ロックアウト（UVLO）
- シュートスルー保護のためのインターロックパルス幅変調（PWM）入力
- 重要な信号の監視を目的としたテストポイント
- 2EP130R トランスドライバ IC を用いて設計されたオンボード絶縁電源
- 4.5V～20Vの広い入力電圧範囲
- 50kHz〜695kHzの広いスイッチング周波数範囲
- 10%〜50%の高精度負荷サイクル調整
- ピーク電流制御ソフトスタート
- 過電流および過熱保護
- ソフトスタートの正常な完了を示すReady信号
アプリケーション
- 産業用モータ駆動
- ソーラーインバータ
- 無停電電源装置（UPS）
- スイッチモード電源（SMPS）
- 電気自動車 (EV) 充電ステーション
- 電力変換システム
キット内容
- EVAL-1ED3330MC12M-SiC用評価ボード
- 2x IMZC120R012M2H CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET（組み立て用）
- 高電圧PCBコネクタ（高電圧PCB端子ヘッダに接続）
ブロック図
関連のあるIC
Infineon Technologies EiceDRIVER™ トランスドライバIC
コンパクトなTSSOP8ピンパッケージに収められたフルブリッジ トランス ドライバ集積回路です。
公開: 2025-09-25
| 更新済み: 2025-10-07