Infineon Technologies EVALHBPARALGANハーフブリッジ評価ボード
Infineon EVALHBPARALLELGANTOBO1 ハーフブリッジ評価ボードは、600V CoolGaN™ トランジスタと絶縁ゲートドライバICの並列接続のセットアップとテストを簡単かつ迅速に行うことができます。一般的なトポロジは、限られたパルステストまたは連続的なフルパワー動作で、昇圧または降圧動作に設定可能です。テストポイントは、並列のCoolGaN™ トランジスタとゲートドライバのスイッチング性能を測定するために、信号をオシロスコープに接続するための簡単なアクセスを提供します。このInfineon・ハーフブリッジ評価ボードは、並列構成で機能するGaNパワートランジスタを評価するための電源回路を設計する時間を節約します。
ハーフブリッジ回路ボードは、50Ωパルスまたは信号発生器に接続するためのPWM入力を一つ備えています。ボードの電源は5Vの単一電源入力から供給され、絶縁型ゲートドライバ電源を含むすべての電源に供給されます。ハイサイドとローサイド間のデッドタイムは100nsにプリセットされていますが、トリムポテンショメータで調整可能です。外部インダクタは、付属の着脱式端子台コネクタに接続します。コンデンサ定格によって制限されますが、出力電圧とバス電圧は、最大450Vまでの範囲に対応が可能です。このハーフブリッジは、ハードスイッチングまたはソフトスイッチング時に、28Aの連続電流と70Aのピーク電流を切り替えることができます。動作周波数は、トランジスタの消費電力（適切なヒートシンク、熱インターフェイス材質、エアフローを使用した場合、1デバイスあたり約13Wに制限）にもよりますが、最大1MHzまで可能です。
必要な機器
- VCCに0.5Aの出力電流を供給可能な5V電源
- 目的のテストに必要な電力の供給に十分な電流を備えた、最大450VDC のバス電源
- 短パルス試験では、最大電流であっても、DCバス・バルク蓄電コンデンサが瞬時エネルギーを供給するため、バス電圧供給から引き出される電流は非常に小さい
- ハーフブリッジに必要なPWM駆動コマンドを共有する信号発生器
- 発生器は、スタンダードの5Vロジックレベルを50Ω終端負荷に駆動する能力が必要
- 立ち上がり時間と立ち下がり時間は、最善のタイミング精度/再現性のための5ns範囲とする
- デッドタイム・トリム・ポテンショメータR51およびR61の調整を目的とした1.2mmスロットドライバ
- 相互接続ケーブル（PWM入力用）
- PWM入力コネクタは、50Ω終端のMMCX同軸コネクタ
- 信号源が従来のBNCコネクタであるとすると、ユーザーは、BNCオスto MMCXプラグケーブルまたはBNC to MMCXアダプタが必要になります
- 測定用オシロスコープ
- GaNトランジスタで実現できる高速過渡電圧と電流のおかげで、500MHz以上の帯域幅をともなうオシロスコープを推奨
- 高圧側ゲート電圧の測定には、Tektronix TIVM1といった1GHz絶縁プローブを推奨
- MMCXコネクタは、この目的のために提供（ボード裏側のTP11とT21）
- ショート接地ピンが備わっているスタンダード（500MHz以上）のパッシブプローブを使用し、TP31またはTP41のQ3またはQ4低圧側ゲート電圧をそれぞれ測定可
- Q3またはQ4のKelvinソースの試験ポイントリファレンスは、L di/dt接地バウンスがあるため、VSW測定リファレンスと比較して接地バウンスがある場合あり
- 各パッシブ・プローブ・ケーブルでのヒンジ式スナップオン・フェライトコアは、CMケーブルシールド電流のために任意の測定アーティファクトを最小限に抑えることに貢献
- また、ユーザーは、Tektronix TDP1000といった1GHzアクティブ差動プローブも使用可
- これによって、CM接地電流による測定誤差/アーティファクトをさらに最小限に抑えることができますが、TIVM1プローブスナウトからの結合dV/dtに敏感な場合あり
- スイッチノード電圧の測定にTP12および/またはT34で使用されている電圧プローブが電圧と帯域幅に適切な定格になっていることを確認する
- 800 MHz帯域幅のTektronix TPP0850 50x高圧プローブ、500MHz帯域幅のTektronix P5100A 100x高圧プローブ、または400MHzのPMK1000 100x高圧プローブを推奨
ボードの仕様
公開: 2020-06-15
| 更新済み: 2024-10-29