Infineon Technologies OptiMOS™ 3 NチャネルMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 3 NチャンネルMOSFETは、低オン状態抵抗が特徴で、SuperSO8リードレス・パッケージに収められています。OptiMOS 3 MOSFETは、産業、コンシューマー、電気通信の各アプリケーションにおける電力密度を最大50%増加させます。OptiMOS™ 3は、SuperSO8およびShrink SuperSO8（S3O8）の各パッケージに収められた40V、60V、80V Nチャンネル MOSFETでご用意があります。標準トランジスタ外形（TO）パッケージと比較して、SuperSO8は電力密度が最大50%増加しています。
特徴
- Nチャンネル、標準レベル
- 卓越したゲート充電x RDS（オン）製品（FOM）
- 非常に低いオン抵抗RDS(on)
- 鉛フリーめっき加工、RoHS準拠
- IEC61249-2-21準拠のハロゲンフリー
- 高周波スイッチングと同期整流に最適
- 175°C定格
アプリケーション
- スイッチモード電源（SMPS）
- モータ制御とドライバ
- インバータ
- 計算
関連製品
Infineon Technologies Infineonドローン/マルチコプターソリューション
広スペクタルのコンポーネントを備えた高品質でコスト効率の高い製品のポートフォリオです。
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| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Vgs - ゲート-ソース間電圧 | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | パッケージ/ケース |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ISC073N12LM6ATMA1 |  |
86 A | 7.3 mOhms | - 20 V, 20 V | 2.2 V | TDSON-8 |
| ISC104N12LM6ATMA1 | |
63 A | 10.4 mOhms | - 20 V, 20 V | 2.2 V | TDSON-8 |
| IPD048N06L3GATMA1 | |
90 A | 4.8 mOhms | - 20 V, 20 V | 1.2 V | DPAK-3 (TO-252-3) |
| IPD079N06L3GATMA1 | |
50 A | 7.9 mOhms | - 20 V, 20 V | 1.2 V | DPAK-3 (TO-252-3) |
| IPT030N12N3GATMA1 | |
237 A | 3 mOhms | - 20 V, 20 V | 4 V | |
| IPD220N06L3GATMA1 | |
30 A | 22 mOhms | - 20 V, 20 V | 2.2 V | DPAK-3 (TO-252-3) |
| ISC151N20NM6ATMA1 | |
74 A | 15.1 mOhms | - 20 V, 20 V | 3.7 V | TDSON-8 |
公開: 2019-03-25
| 更新済み: 2022-03-11