Infineon Technologies OptiMOS™ 7最適化40VパワーMOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ 7最適化40V NチャンネルパワーMOSFETは、最適化されたモータ・ドライバで、ドライブ、パワーツール、ガーデニングツール向けに効率的な電力変換を行うようカスタマイズされたソリューションを提供します。Infineon 40Vポートフォリオには、追加の電圧ノードと低オン状態抵抗 [RDS(on)]が備わっており、PG-TDSON(PQFN 5mm x 6mm)、PG-TSDSON(PQFN 3.3mm x 3.3mm)、PG-WSON-8(PQFN 5mm x 6mmデュアルサイド冷却)を含むスタンダードのパッケージオプションがあります。対象アプリケーションには、モータ制御、バッテリーマネジメントシステム(BMS)、コードレス掃除機、ガーデニング工具、電動工具があります。

特徴

  • 効率性の強化と優れた性能により、電力損失を低減
  • 過酷な条件下での堅牢性の向上
  • パルス電流処理の改善
  • 短絡イベントに対する耐性の向上
  • 寄生ターンオンイベントに対する免疫力の向上
  • 固有の短絡電流制限
  • スルーレート制御の改善/EMI動作の改善と使いやすさ
  • Nチャンネル、標準レベル
  • 強化されたSOA
  • 最適化されたドライブ
  • 卓越した熱抵抗
  • 制御されたトランスコンダクタンス
  • 100%アバランシェ試験済み
  • PG-TDSON(PQFN 5mm x 6mm)、PG-TSDSON(PQFN 3.3mm x 3.3mm)、PG-WSON-8(PQFN 5mm x 6mmデュアルサイド冷却)パッケージ
  • JEDEC JESD47、JESD22、J-STD-020に準拠した産業用アプリケーションに認定済
  • 無鉛リードメッキ、RoHS準拠
  • IEC61249-2-21に準拠したハロゲンフリー

アプリケーション

  • コードレス電動工具と掃除機
  • 屋外設備
  • スタック不可BMSソリューション
  • 最大72Vまでの低消費電力BDC/BLDCモータドライブ

仕様

  • 最小40Vドレイン‐ソース間破壊電圧
  • ゲート閾値電圧範囲:2.35V〜3.15V
  • ゼロゲート電圧ドレイン電流範囲:1μA〜100μA
  • 最大100nAゲート-ソース漏洩電流
  • 最大ドレイン-ソース間オン状態抵抗範囲:0.5mΩ〜1.63mΩ
  • 標準ゲート抵抗範囲:0.7Ω〜1Ω
  • 標準トランスコンダクタンス範囲:100S〜150S
  • 最大連続ドレイン電流範囲:31A〜458A
  • 最大パルスドレイン電流範囲:696A〜1832A
  • 最大シングルパルスアバランシェエネルギー範囲:68mJ〜726mJ
  • 最大±20Vゲートソース電圧
  • +25°Cで94W〜214Wの最大電力損失範囲
  • 最大動作ストレージ温度範囲:-55°C〜+175°C
  • 標準静電容量範囲
    • 2,400pF~7,700pF(入力)
    • 1,300pF~4,000pF出力
    • 30pF〜87pF逆方向転送
  • 標準タイミング範囲
    • ターンオン遅延:8.2ns〜16ns
    • 立ち上がり:2.6ns〜8.1ns
    • ターンオフ遅延:13ns〜36ns
    • 立ち下がり:4.5ns〜12ns
  • 最大熱抵抗
    • 接合部対ケース底面:0.7°C/W〜1.6°C/W
    • 接合部対ケース上面:20°C/W
    • 接合部対周囲 50°C/W、6cm2 冷却面積

回路図

回路図 - Infineon Technologies OptiMOS™ 7最適化40VパワーMOSFET
公開: 2025-09-15 | 更新済み: 2025-10-02