Infineon Technologies ソリッドステートアイソレータ（SSI）
Infineon Technologiesソリッドステートアイソレータ（SSI）は、ソリッドステートリレー（SSR）アプリケーションにおけるさまざまなMOSFET、およびIGBTスイッチを対象としたガルバニック絶縁ゲートドライブを提供します。これらのデバイスを使用すると、1,000V、および100A以上の負荷を制御できるカスタムソリッドステートリレーの構築が可能となります。コアレストランス（CT）ベースのアイソレータを使用すると、絶縁バリア全体でのエネルギー伝達が可能になり、絶縁側に電源の回路を追加することなく大きなMOSFETまたはIGBTを駆動できます。革新的な保護機能によって、信頼性が高く堅牢なSSRの設計を実現します。
インフィニオンのこれらのSSIは、ガルバニック絶縁バリアを介して強力なエネルギー伝送を行い、CoolMOS™、OptiMOS™、CoolSiC™、TRENCHSTOP™ IGBTといったMOS制御型パワートランジスタのゲートを駆動します。このソリッドステートアイソレータファミリの出力側は、パワートランジスタのゲートを駆動するための専用の電源を必要としません。出力側には、高速なオン・オフ、過電流保護、および過温度保護などの高度な制御機能が備わっており、さまざまなアプリケーションに安全かつ容易に固体リレーを構築することができます。このファミリには統合温度センサを提供するCoolMOS™ S7 T-SenseパワーMOSFET向けに調整されたiSSI30R12Hが含まれています。ファミリの他の部品は、外部PTC抵抗器との使用目的に適しています。
正確な保護機能が提供され、費用対効果の高いシステム構築が可能です。アイソレータの入力側は3.3Vと互換性があり、典型的な電源電流は16mAで動作します。iSSI20R02H、iSSI20R03H、iSSI20R11HのバリアントはDSO-8-66パッケージに収められています。他方、iSSI30R11HおよびiSSI30R12Hは、DSO-16-33パッケージに収められています。
特徴
- インフィニオンのコアレス・トランスフォーマーテクノロジーを使用した固体状アイソレータ
- ゲート駆動には絶縁されたゲートバイアス供給が不要
- CoolMOS、OptiMOS、およびTRENCHSTOP IGBTに最適
- 低電力で、内部クランプされた広い入力電圧範囲は2.6V〜3.5V
- 高インピーダンス、CMOS入力（バッファ済kadenn バリアント）
- 最大18Vの出力電圧、強力なゲート駆動で直列または並列構成不要
- 高出力ピーク電流
- 185µA（直接駆動バリアント）
- 400mA（バッファ済バリアント）
- 安全なスイッチのSOA動作のための高速なオン／オフ
- ガルバニック絶縁：最大5.7kVRMS
- 温度センサと電流センサ保護入力
- 故障イベント（過電流または過熱）の場合のラッチオフ
- ダイナミックミラークランプ保護
- UL 1577（計画中）に対応した高いクリープ距離とクリアランスを備えたワイドボディパッケージ、およびIEC 60747-17（計画中）に対応した強化絶縁
- ヒートシンクの必要性を最小化
- 不要な接触起動を排除
アプリケーション
- ソリッドステートリレーACおよびDCアプリケーション
- 電気機械リレー交換
- プログラム可能ロジック制御、産業用オートメーション、制御
- スマートビルディングおよびホームオートメーションシステム（サーモスタット、照明、暖房制御）
- 器具類装置
仕様
- 最高入出力オフセット電圧：±1,200V
- 最高入力供給電圧：-10V〜4.25V
- 最高入力ロジック電圧：-10V〜15V
- 最大入力電源電流：0mA〜120mA
- 入力部最大損失電力：200mW
- 出力部最大電力損失：4.5mW
- スイッチング周波数：最高2kHz
- コモンモード過渡耐性：最大200V/ns
- 周囲温度範囲: -40°C～+125°C
- ジャンクション温度範囲: -40℃～+150℃
- ESD耐性
- の人体モデル（HBM）の最小耐性：2kV以上
- ANSI/ESDA/JEDEC-JS-002-2014に準拠したTC 1000帯電デバイスモデル(CDM) (AEC-Q100-011 Rev Dに準じたTC =最高テスト条件通過）
ビデオ
開発ツール
Infineon Technologies EVAL-iSSI30R11H評価ボード
SSIソリッドステートアイソレータを評価し、2つのCoolMOS™ IPQC60R010S7 MOSFETを搭載しています。
Infineon Technologies EVAL-iSSI30R12H評価ボード
アプリケーション回路でのSSIコアレス・トランス・ソリッドステート・アイソレータSSI30R12Hを評価します。