Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET ハーフブリッジモジュール
インフィニオン (Infineon) XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET ハーフブリッジモジュールは、1.7kV〜3.3kVまでのアプリケーション向けに設計されており、電流容量を最大化するために3つのAC端子と4つのDC端子を備えています。基本となるモジュールコンセプトにより、XHP 2のフレームサイズは拡張・適応が容易で、これらのモジュールは将来のチップ世代や高速スイッチングデバイスに対応しやすく、低損失化に貢献します。またこれらのモジュールは、低インダクタンス設計によって、低いスイッチング損失と高い電流密度を実現しています。機械的にも、比較トラッキング指数 (CTI) が600を上回るパッケージで高電力密度を実現し、高い沿面距離とクリアランス距離を確保しています。AlSiC(炭化ケイ素アルミニウム)ベースプレートにより熱サイクル能力が向上しており、これらのモジュールは要求の厳しいアプリケーションに最適です。特徴
- 拡張性の高い設計
- 低スイッチング損失
- 高電流/電力密度
- 低誘導設計
- クラス最高の信頼性
- Nチャンネル極性
- スクリューマウント
- CTI > 600のパッケージ
- デュアル構成
- 大きな沿面距離とクリアランス距離
- 熱サイクル能力の向上を目的としたAlSiCベース・プレート
- 低い熱抵抗を持つAlN基板
アプリケーション
- 牽引
- 中電圧(MV)ドライブ
- 商用車向けソリューション
- ハイパワーコンバータ
- 高周波スイッチングアプリケーション
仕様
- ドレイン・ソース間降伏電圧:2.3kVまたは3.3kV
- 500A~2,000A連続ドレイン電流範囲
- ゲート・ソース間閾値電圧範囲:3.45V〜5.15V
- ゲート・ソース間電圧オプション:-7V/+20Vまたは-10V〜+23V
- 順方向電圧オプション:4.6Vまたは5V
- オンドレインソース抵抗範囲: 2.4mΩ~4.8mΩ
- 電力損失:20mW
- 標準ターンオン遅延時間範囲:210ns〜490ns
- 立ち上がり時間範囲 :95ns~170ns
- 標準ターンオフ遅延時間範囲:30ns〜380ns
- 60ns ~ 105ns下降時間範囲
- 動作温度範囲:-40°C〜+150°/+175°C
- サイズ:144mm x 99.8mm x 40mm(LxWxH)
リソース
- AN2024-03 - アプリケーションおよび組み立てノート
公開: 2024-07-19
| 更新済み: 2025-10-28
