Microchip Technology 2-Mbit SST26VF020A NORフラッシュ

Microchip Technology 2-Mbit SST26VF020A NORフラッシュメモリは、Serial Quad I/O™(SQI™)ファミリのフラッシュメモリデバイスで、6線式4ビットI/Oインターフェイスが特徴です。この6線式4ビットI/Oインターフェース は低ピン数パッケージで、低消費電力 と高性能動作を実現します。これらのNORフラッシュメモリは、消費電力を低減しながら性能と信頼性を向上させます。2-Mbit SST26VF020Aフラッシュは、従来のシリアル・ペリフェラル・インターフェース(SPI)プロトコルとの完全なコマンドセット互換性もサポートしています。これらのデバイスは、単供給電圧範囲2.3V ~ 3.6Vで書込(プログラミングまたは消去)を行います。Microchip Technology SST26VF020A NORフラッシュには、メモリアレイで選択されたブロックのグループ保護が可能になるソフトウェア書き込み保護スキームが備わっています。これらのNORフラッシュメモリは、AEC-Q100の認定を受けており、RoHSに準拠しています。

特徴

  • 単一電圧読取および書込操作:
    • 電圧範囲:2.7V ~ 3.6Vまたは2.3V ~ 3.6V
  • シリアル・インターフェイス・アーキテクチャ
    • SPIのようなシリアルコマンド構造が備わっているニブル全体の多重化I/O:
      • モード0およびモード3
      • x1/x2/x4シリアル・ペリフェラル・インターフェイス(SPI)プロトコル
  • 高速クロック周波数:
    • 最大2.7V ~ 3.6V 104MHz(工業用)
    • 最大2.3V ~ 3.6V 80MHz(工業用および拡張)
  • バーストモード
    • 連続線形バースト
    • 8/16/32/64バイト線形バースト(ラップアラウンド)
  • 優れた信頼性
    • 100,000回のサイクル(最小)耐久性
    • 100年以上のデータ保持
  • 低消費電力
    • アクティブ読取電流:15mA(標準@ 104MHz)
    • スタンバイ電流: 15µA(typ)
  • 消去時間が短い
    • セクタ/ブロック消去:
      • 20ms(標準)および25ms(最大)
    • チップ消去
      • 40ms(標準)および50ms(最大)
  • ページプログラム:
    • x1またはx4モードで1ページあたり256バイト
  • 書込終了検出:
    • ステータス・レジスタのBUSYビットをソフトウェアでポーリング
  • 柔軟性に富んだ消去機能:
    • 均一な4-Kbyteセクタ
    • 均一32Kbyteオーバーレイ・ブロック
    • 均一な64-Kbyteオーバーレイ・ブロック
  • 書込-中断:
    • もうひとつ別のブロック/セクタにアクセスするためのプログラムの中断または消去動作
  • ソフトウェアリセット(RST)モード
  • ソフトウェアの書込保護:
    • ステータス・レジスタでのブロック保護ビットによる書込保護
  • セキュリティID:
    • ワンタイムプログラマブル(OTP)2-KbyteセキュアID:
      • 128ビットの固有かつ工場出荷時にプログラミングされた識別子
      • ユーザープログラマブル領域
  • 温度範囲
    • 工業用範囲: -40°C ~ +85°C
    • 拡張範囲: -40°C ~ +125°C
  • 車載用AEC-Q100認定
  • ご用意のあるパッケージ:
    • 8-contact WDFN(6mm x 5mm)
    • 8リードSOIC (3.90mm)
  • RoHS準拠

ブロック図

ブロック図 - Microchip Technology 2-Mbit SST26VF020A NORフラッシュ

機械図面 (mm)

機械図面 - Microchip Technology 2-Mbit SST26VF020A NORフラッシュ
公開: 2020-05-31 | 更新済み: 2024-07-25