Microchip Technology MSC017SMA120xシリコンカーバイドN-ChパワーMOSFET
Microchip Technology MSC017SMA120xシリコンカーバイドN-ChパワーMOSFETは、高電圧アプリケーションでの総コストを低く抑えながら、シリコンMOSFETおよびシリコンIGBTソリューションの性能を向上させます。Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETは、熱機能の改善と低スイッチング損失を強化することによって、さらに軽量でもっとコンパクトなシステムを実現できる高効率を実現しています。
MSC017SMA120Jは、SOT-227パッケージに収められた1200V、17mΩSiC MOSFETです。MSC017SMA120B4は、TO-247（ソースセンス搭載）パッケージに収められた1200V、17mΩSiC MOSFETです。MSC017SMA120Sは、TO-268（D3PAK）パッケージに収められた1200V、17mΩSiC MOSFETです。
特徴
- 低容量と低ゲート電荷
- 内部ゲート抵抗（ESR）が低いことによる内部高速スイッチング・スピード
- Tj(max) = 175°Cという高い接合部温度での安定した動作
- 高速で信頼性の高いボディ・ダイオード
- 卓越したアバランシェ堅牢性
- RoHS準拠
アプリケーション
- PVインバータ、コンバータ、工業モーター・ドライブ
- スマートグリッド伝達と分配
- 誘導加熱と溶接
- H/EVパワートレインとEV充電器
- 電源と配電
パッケージのスタイル
公開: 2021-05-11
| 更新済み: 2022-03-11