Microchip Technology MSCDR90A160BL1NGベースレスSiダイオードパワーモジュール

Microchip Technology MSCDR90A160BL1NGベースレスSiダイオードパワーモジュールは、高阻止電圧、非常に低い浮遊インダクタンス、超低重量、熱抵抗をカバーする低接合部が特徴です。このダイオードパワーモジュールは、90Aで1.3V順方向電圧(VF)、1.6kV逆方向電圧(VR)、1600V最高繰り返し逆電圧(VRRM)で動作します。

特徴

  • 高阻止電圧
  • 非常に低い浮遊インダクタンス
  • 超低重量
  • 超低背
  • ヒートシンクへの直接取り付け(絶縁パッケージ)
  • 熱抵抗をカバーする低ジャンクション
  • RoHS準拠

仕様

  • 90Aで1.3V順方向電圧(VF)
  • 1.6kV逆方向電圧(VR
  • 1600V 最高繰り返し逆方向電圧(VRRM)
  • 位相遅れ構成
公開: 2021-10-11 | 更新済み: 2022-03-11