Microchip Technology SST25WF040B/80B SPIシリアル・フラッシュ・メモリ
Microchip Technology SST25WF040B/80B SPIシリアル・フラッシュ・メモリ・チップは、4線式SPI互換インターフェイスを活用して設計されており、ピン数の少ないパッケージを実現できます。これらのシリアル・フラッシュは、最小限のボード・スペースのみ占有し、システム全体のコストを削減します。SST25WF040B/80Bシリアル・フラッシュ・メモリ・チップは、高性能CMOSSuperFlash技術を使用して製造されています。これらのシリアル・フラッシュは、スプリットゲート設計と厚い酸化物トンネリング注入器で構成されており、より良い信頼性の達成を目的としています。
SST25WF040B/80Bシリアル・フラッシュ・メモリは、1.65V〜1.95Vの単一電源で書込（プログラミングまたは消去）を行います。これらのシリアル・フラッシュには、SuperFlash技術が活用されており、プログラムの消費電流がわずかで、消去時間が短縮されます。これによって、あらゆる消去またはプログラム操作時の総エネルギー消費が削減されます。SST25WF040B/80Bシリアル・フラッシュ・メモリは、8リードSOICおよび8コンタクトUSOINパッケージでご用意があります。
特徴
- シリアル・インターフェイス・アーキテクチャ:
- SPI互換:
- モード0およびモード3
- SPI互換:
- デュアル入力/出力サポート:
- 高速読取デュアル出力命令（3BH）
- 高速読取デュアルI/O命令（BBH）
- 書込終了検出:
- ステータス・レジスタのBUSYビットをソフトウェアでポーリング
- ホールド・ピン（HOLD#）:
- デバイスの選択を解除せずにシリアル・シーケンスを中断
- 書込保護 (WP#):
- ステータス・レジスタのロックダウン機能の有効化または無効化
- ソフトウェアの書込保護:
- ステータス・レジスタでのブロック保護ビットによる書込保護
- ご用意のあるパッケージ:
- 8リードSOIC (150 mils)
- 8コンタクトUSON（2mm xx 3mm）
- RoHS準拠
仕様
- 単電圧読取・書込動作: 1.65V～1.95V
- 高速クロック周波数: 40MHz
- 優れた信頼性:
- 100000サイクル
- 20年以上のデータ保持
- 超低消費電力:
- アクティブ読取電流: 4mA
- スタンバイ電流: 7µA
- パワーダウン・モード・スタンバイ電流: 2µA
- 柔軟性に富んだ消去機能:
- 均一4キロバイト・セクタ
- 均一64Kbyteオーバーレイ・ブロック
- ページ・プログラム・モード:
- 256バイト/ページ
- 高速消去とページ-プログラム:
- チップ消去時間: 400ms
- セクタ消去時間: 40ms
- ブロック消去時間: 80ms
- 0.8ms/256バイトのページプログラム時間
- 産業用温度範囲: -40°C～85°C
- 拡張周囲温度範囲: -40°C～125°C
機能ブロック図
公開: 2019-01-23
| 更新済み: 2023-05-11