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Microsemi APT40SM120 SiCパワーMOSFET

Microsemi APT40SM120 SiCパワーMOSFETは、シリコンMOSFET/IGBTソリューションに比べて、高電圧アプリケーションでの性能が向上しています。APT40SM120 MOSFETは、より軽量でさらにコンパクトなシステムが可能で、効率性を高めることができます。このMOSFETは駆動がシンプルで、簡単に並列接続できます。また、熱能力の向上とスイッチング損失の低減を実現する一方で、外部フリー・ホイーリング・ダイオードが不要になっています。特徴には卓越したアバランシェ堅牢性、および内部ゲート抵抗（ESR）が低いことによる内部高速スイッチング・スピードがあります。また、APT40SM120は、+175°Cという高い接合部温度での安定した動作を実現しています。このMOSFETには、32A（APT40SM120J）または36A（APT40SM120S）のドレイン電流、1200V破壊電圧、最大100Ωオン抵抗が備わっています。アプリケーションには、H/EVパワートレイン& EV充電器、誘導加熱と溶接、スマートグリッド伝送&分配、電源&分配、PVインバータ、コンバータと工業用モーター駆動があります。