Micron 256GB 同期/非同期 NANDフラッシュメモリ
Micron 256GB 同期/非同期 NANDフラッシュデバイスは、コマンド、アドレス、データ転送に高レベル多重化技術による8ビットバス(DOx)を使用しています。本メモリデバイスは、卓越した耐久性とデータインテグリティを実現するSLC(シングルレベルセル)アーキテクチャです。これらのデバイスには、非同期データインターフェイスの実装に使用される5つの制御信号(CE#、CLE、ALE、WE#、RE#)があります。その他に、ハードウェア書き込み保護を制御する信号(WP#)、デバイスの状態を監視する信号(R/B#)もあります。NANDフラッシュデバイスは、高性能なI/O動作を実現する同期データインターフェイスも搭載しています。NANDフラッシュは、電源電圧2.7V~3.6V、I/O電圧1.8Vで動作するため、低消費電力の設計に最適です。256GB NANDフラッシュメモリは、100ピンのLBGAパッケージ(12mm x 18mm)で供給されます。これらのメモリデバイスは-40°C~85°Cの拡張温度範囲をサポートしており、産業グレード用の信頼性を備えています。256GB同期/非同期デバイスは、車載システム、産業用コントローラ、ネットワーキング機器、高い信頼性が求められる組み込みストレージソリューションに最適です。特徴
- オープンNANDフラッシュインターフェイス (ONFI) 2.2準拠1
- SLC(シングルレベルセル)技術
- 構成:
- ページサイズ x8:8640バイト(8192バイト + 448バイト)
- ブロックサイズ:128ページ(1024K + 56Kバイト)
- プレーンサイズ:2プレーン x 2048ブロック/プレーン
- デバイスサイズ:256GB 32,768ブロック
- 同期I/O性能:
- 同期タイミングモード 最大5
- クロックレート 10ns (DDR)
- 読み出し/書き込みスループット ピンあたり200MT/秒
- 非同期I/O性能:
- 非同期タイミングモード 最大5
- 20ns (MIN) tRC/tWC
- 読み出し/書き込みスループット ピンあたり50MT/秒
- アレイ性能:
- ページ読み出し時間 35μs(最大)
- ページプログラム時間 350μs(標準)
- ブロック消去時間 1.5ms(標準)
- 動作電圧範囲 2.7V~3.6V VCC
- ONFI NANDフラッシュプロトコルコマンドセット
- アドバンストコマンドセット:
- プログラムキャッシュ
- 読み出しキャッシュ(シーケンシャル読み出し)
- 読み出しキャッシュ(ランダム読み出し)
- ワンタイムプログラマブル(OTP)モード
- マルチプレーンコマンド
- マルチLUN動作
- 読み出し固有ID
- コピーバック
- 最初のブロック(ブロックアドレス00h)は工場出荷時に有効
- 電源投入後、最初にRESETコマンド(FFh)を実行する必要あり
- 動作ステータスバイト:ソフトウェアによる検出のための手法を提供
- 操作完了
- 合格/不合格状態
- 書き込み保護ステータス
- データストローブ(DQS)信号:同期インターフェイスにおけるデータDQを同期させるためのハードウェア的な手法を提供
- コピーバック操作:データが読み出されたプレーン内でサポートされる
- 品質と信頼性
- JESD47Gに準拠したデータ保持
- プログラム/消去耐久性 サイクル80000回
- PEM-INST-001準拠
- 放射線特性評価情報 MIL-STD-750 TM1019 condition D および MIL-PRF-19500/357に基づく
- 工業動作温度 -40°C~85°C
- 100ピンのBGAパッケージ
アプリケーション
- 車載システム
- 産業用コントローラ
- ネットワーク用機器
- 高い信頼性が求められる組み込みストレージソリューション
公開: 2025-10-15
| 更新済み: 2025-10-31
