Micron 256GB 同期/非同期 NANDフラッシュメモリ

Micron 256GB 同期/非同期 NANDフラッシュデバイスは、コマンド、アドレス、データ転送に高レベル多重化技術による8ビットバス(DOx)を使用しています。本メモリデバイスは、卓越した耐久性とデータインテグリティを実現するSLC(シングルレベルセル)アーキテクチャです。これらのデバイスには、非同期データインターフェイスの実装に使用される5つの制御信号(CE#、CLE、ALE、WE#、RE#)があります。その他に、ハードウェア書き込み保護を制御する信号(WP#)、デバイスの状態を監視する信号(R/B#)もあります。NANDフラッシュデバイスは、高性能なI/O動作を実現する同期データインターフェイスも搭載しています。NANDフラッシュは、電源電圧2.7V~3.6V、I/O電圧1.8Vで動作するため、低消費電力の設計に最適です。256GB NANDフラッシュメモリは、100ピンのLBGAパッケージ(12mm x 18mm)で供給されます。これらのメモリデバイスは-40°C~85°Cの拡張温度範囲をサポートしており、産業グレード用の信頼性を備えています。256GB同期/非同期デバイスは、車載システム、産業用コントローラ、ネットワーキング機器、高い信頼性が求められる組み込みストレージソリューションに最適です。

特徴

  • オープンNANDフラッシュインターフェイス (ONFI) 2.2準拠1
  • SLC(シングルレベルセル)技術
  • 構成:
    • ページサイズ x8:8640バイト(8192バイト + 448バイト)
    • ブロックサイズ:128ページ(1024K + 56Kバイト)
    • プレーンサイズ:2プレーン x 2048ブロック/プレーン
    • デバイスサイズ:256GB 32,768ブロック
  • 同期I/O性能:
    • 同期タイミングモード 最大5
    • クロックレート 10ns (DDR)
    • 読み出し/書き込みスループット ピンあたり200MT/秒
  • 非同期I/O性能:
    • 非同期タイミングモード 最大5
    • 20ns (MIN) tRC/tWC
    • 読み出し/書き込みスループット ピンあたり50MT/秒
  • アレイ性能:
    • ページ読み出し時間 35μs(最大)
    • ページプログラム時間 350μs(標準)
    • ブロック消去時間 1.5ms(標準)
  • 動作電圧範囲 2.7V~3.6V VCC
  • ONFI NANDフラッシュプロトコルコマンドセット
  • アドバンストコマンドセット:
    • プログラムキャッシュ
    • 読み出しキャッシュ(シーケンシャル読み出し)
    • 読み出しキャッシュ(ランダム読み出し)
    • ワンタイムプログラマブル(OTP)モード
    • マルチプレーンコマンド
    • マルチLUN動作
    • 読み出し固有ID
    • コピーバック
  • 最初のブロック(ブロックアドレス00h)は工場出荷時に有効
  • 電源投入後、最初にRESETコマンド(FFh)を実行する必要あり
  • 動作ステータスバイト:ソフトウェアによる検出のための手法を提供
    • 操作完了
    • 合格/不合格状態
    • 書き込み保護ステータス
  • データストローブ(DQS)信号:同期インターフェイスにおけるデータDQを同期させるためのハードウェア的な手法を提供
  • コピーバック操作:データが読み出されたプレーン内でサポートされる
  • 品質と信頼性
    • JESD47Gに準拠したデータ保持
    • プログラム/消去耐久性 サイクル80000回
  • PEM-INST-001準拠
  • 放射線特性評価情報 MIL-STD-750 TM1019 condition D および MIL-PRF-19500/357に基づく
  • 工業動作温度 -40°C~85°C
  • 100ピンのBGAパッケージ

アプリケーション

  • 車載システム
  • 産業用コントローラ
  • ネットワーク用機器
  • 高い信頼性が求められる組み込みストレージソリューション
公開: 2025-10-15 | 更新済み: 2025-10-31