Micron DDR4 SDRAM メモリ
Micron DDR4 (Double Data Rate 4) SDRAMは、高速のダイナミックRAMです。x16構成の場合はバンク数8のDRAMとして、x4およびx8構成の場合はバンク数16のDRAMとして内部構成されます。これらの高密度デバイスを使用すると、システム設計者は、同数の配置でより多くの利用可能なメモリを活用できるので、帯域幅の増大や、システムで対応済みの機能セットの活用に役立ちます。また、DDR4メモリを使用すると設計者は、少ない配置で同じ密度を維持でき、コストの削減に貢献します。
Micron DDR4 SDRAMメモリは、産業および車載アプリケーションの極端な温度と性能ニーズに対して厳格にテストされています。
特徴
- コスト/性能/容量および最大3200Mb/sのデータレート向けに最適化済
- DDR3全体で最大50%帯域幅を増大
- 1.2V低電圧ドレイン（コアおよびI/O）によって、メモリの電力需要を低減
- 省電力機能によって、DDR3全体的な電力要件を35%削減できます。
- Connectivityテストモードによって、デバッグ時間の短縮を目的としたシステムテスト時の早期故障検出が可能になり、開発と生産コストを節約
- 最高の性能と最低のコストのためのセンターボンド・パッド
- データ信号の整合性とシステムの信頼性の向上: ODT、DBI、コマンド/アドレスパリティ、CRC
- 最大16Gbのシングルダイ密度に対応
- マルチランクのパッケージサポート
- 最大4つのダイ・スタッキングが備わった高容量メモリ・サブシステム
- FBGA-78およびFBGA-98パッケージでご用意あり
- 動作温度オプション
- 0°C~+95°C
- -40°C~+95°C
- -40°C～+105°C
- -40°C～+125°C
アプリケーション
- クラウド、サーバー、データセンタ
- 車載用
- インタラクティブなウェルネス・コーチングとパーソナライズされた健康モニタリング
- 産業IoTと産業4.0
- ゲーム用PC
- エッジおよびビデオ監視サーバー
DDR4とDDR3の比較
類似Micron DDR4メモリ
Micron LPDDR4メモリ
エネルギー効率を高める性能、電力、レイテンシ、物理スペースが組み合わされています。
公開: 2021-11-12
| 更新済み: 2026-02-02