特徴
- 100µm超低背
- 小漏洩電流
- 高安定性(温度、電圧)
- 経年変化による容量損失を無視可能
- スタンダードのワイヤ取付アセンブリ(ボールとウェッジ)との互換性あり
アプリケーション
- レーダー、無線インフラストラクチャ、通信、データ放送などの厳しいアプリケーション
- パッドの平坦性によるスタンダードワイヤ取付アプローチ (トップ、ボトムゴールド金属化)
- デカップリング、DCノイズと高調波フィルタリング、整合ネットワーク(例: GaNパワーアンプ、LDMOS)
- 高信頼性アプリケーション
- ダウンサイズ、低背アプリケーション(100μm)
- 単層セラミックコンデンサおよび金属酸化物半導体と完全互換
仕様
- 47pF~22nF静電容量範囲
- ±15%静電容量許容差
- 温度範囲
- -55°C~+150°C動作
- -70°C~+165°Cストレージ
- +60ppm/K温度係数
- 11V、30V、50V、100V、150V、450V破壊電圧
- 0.001%/1000時間未満の経年劣化
- 厚さ100µm
公開: 2019-10-24
| 更新済み: 2025-07-02

