Nexperia 74HC1G00/74HCT1G00 2入力 NANDゲート

Nexperia 74HC1G00および74HCT1G00 2入力 NANDゲートは、幅広いデジタルアプリケーション向けに設計されています。これらのNexperia NANDゲートは広い電源電圧範囲(74HC1G00が2.0V~6.0V、74HCT1G00が4.5V~5.5V)を備えているため、さまざまな電圧環境に適しています。これらのデバイスは、高いノイズ耐性と低消費電力を提供し、複雑な回路でも信頼性の高い性能を保証します。入力にクランプダイオードが含まれているため、電流制限抵抗を使用して電源電圧より高い電圧とのインターフェイスが可能になります。これらのNANDゲートは、ロジック機能、信号反転、タイミング回路、制御ロジック、データ記憶アプリケーションに最適です。

特徴

  • 広い電源電圧範囲
    • 74HC1G00向け2,0V~6,0V
    • 74HCT1G00向け4.5V~5.5V
  • CMOSの低消費電力
  • 入力レベル
    • 74HC1G00はCMOSレベル
    • 74HCT1G00はTTLレベル
  • 対称出力インピーダンス
  • 高ノイズ耐性
  • ラッチアップ性能:JESD78 クラスII レベルB準拠で100mA超
  • SOT353-1(TSSOP5)、SOT753(SC-74A)、SOT8065-1(XSON5)パッケージオプション
  • バランスのとれた伝搬遅延
  • ESD保護
    • HBM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 クラス2準拠で2000V超
    • CDM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 クラスC3準拠で1000V超
  • JEDEC規格に準拠
    • JESD8C(2.7V~3.6V)
    • JESD7A(2,0V~6,0V)
  • -40°C~+85°Cおよび-40°C~+125°Cで仕様を規定

アプリケーション

  • ロジック機能
  • 信号反転
  • タイミング回路
  • 制御ロジック
  • データストレージ

仕様

  • 最小入力クランプ電流:±20mA
  • 最大出力クランプ電流:±20mA
  • 最大出力電流: ±12.5mA
  • 25mA 最大供給電流
  • 最少接地電流:-25mA
  • 最大総電力損失:250mW

機能図

機械図面 - Nexperia 74HC1G00/74HCT1G00 2入力 NANDゲート
公開: 2025-04-03 | 更新済み: 2025-04-21