Nexperia 74HC1G00/74HCT1G00 2入力 NANDゲート
Nexperia 74HC1G00および74HCT1G00 2入力 NANDゲートは、幅広いデジタルアプリケーション向けに設計されています。これらのNexperia NANDゲートは広い電源電圧範囲(74HC1G00が2.0V~6.0V、74HCT1G00が4.5V~5.5V)を備えているため、さまざまな電圧環境に適しています。これらのデバイスは、高いノイズ耐性と低消費電力を提供し、複雑な回路でも信頼性の高い性能を保証します。入力にクランプダイオードが含まれているため、電流制限抵抗を使用して電源電圧より高い電圧とのインターフェイスが可能になります。これらのNANDゲートは、ロジック機能、信号反転、タイミング回路、制御ロジック、データ記憶アプリケーションに最適です。特徴
- 広い電源電圧範囲
- 74HC1G00向け2,0V~6,0V
- 74HCT1G00向け4.5V~5.5V
- CMOSの低消費電力
- 入力レベル
- 74HC1G00はCMOSレベル
- 74HCT1G00はTTLレベル
- 対称出力インピーダンス
- 高ノイズ耐性
- ラッチアップ性能:JESD78 クラスII レベルB準拠で100mA超
- SOT353-1(TSSOP5)、SOT753(SC-74A)、SOT8065-1(XSON5)パッケージオプション
- バランスのとれた伝搬遅延
- ESD保護
- HBM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 クラス2準拠で2000V超
- CDM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 クラスC3準拠で1000V超
- JEDEC規格に準拠
- JESD8C(2.7V~3.6V)
- JESD7A(2,0V~6,0V)
- -40°C~+85°Cおよび-40°C~+125°Cで仕様を規定
アプリケーション
- ロジック機能
- 信号反転
- タイミング回路
- 制御ロジック
- データストレージ
仕様
- 最小入力クランプ電流:±20mA
- 最大出力クランプ電流:±20mA
- 最大出力電流: ±12.5mA
- 25mA 最大供給電流
- 最少接地電流:-25mA
- 最大総電力損失:250mW
機能図
公開: 2025-04-03
| 更新済み: 2025-04-21
