ホットスワップおよびソフトスタート用ASFETは、常時オンのアプリケーションや機器をサポートするように設計されています。ホットスワップおよびソフトスタート用CCPAK ASFETは、信頼性の高いリニアモード、強化されたSOA、および低RDS(on) を提供します。CCPAK ASFETは、稼働中のシステムに挿入される交換用基板上の部品を保護するために、突入電流を慎重に制御するように設計されています。
PoE、eFuse、リレー交換用ASFETは、最新のハイパワーPSEコントローラを補完するために開発されています。これらのデバイスは、より大型の「ホットスワップ用ASFET」と同じシリコン技術を使用しています。これらの小型ASFETは、コンパクトなDFN2020(2mm x 2mm)およびLFPAK33(3.3mm x 3.3mm)パッケージに収められており、低電力なリニアモードアプリケーション向けに強化されたSOAを提供します。
バッテリシステムおよびeFuse用ASFETは、マルチセルバッテリ駆動機器向けに設計されています。リチウムイオン電池にはエネルギー密度が高いという利点があります。しかし、これは故障状態では問題となる可能性があり、制御不能な大量のエネルギー放電が発生し、負荷の過熱や回路火災を引き起こす可能性があります。バッテリが安全に絶縁されてシステムの電源が切れるまで、制御された方法で大きな放電を処理するには、非常に堅牢で熱効率の高いMOSFETが必要です。これは、Nexperiaの最も要求の厳しいLFPAKパッケージデバイスにとって理想的なアプリケーションです。
50V/55V ASFETを含むDCモーター制御用ASFETは、コードレス電動工具から屋外用電動機器、さらにはe-Bikeや電動スクーターに至るまで、36Vモーターの要件を満たすように設計されています。これらの困難なアプリケーションを安全かつ効率的に駆動するには、大電流、強力なSOA、堅牢なアバランシェ定格に最適化されたMOSFETが求められます。
特徴
- ホットスワップおよびソフトスタート用ASFET
- バックプレーンへの容量性負荷追加時に、突入電流を効果的かつ確実に管理するための強力なリニアモード性能および強化された安全動作領域(SOA)を持つMOSFETが要求される。
- 交換用ボードの電源が安全に入った後、MOSFETが完全にONに移行。
- バッテリシステムおよびeFuse用ASFET
- 障害が発生して深放電を引き起こした場合、大電流で回路インダクタンス間に電圧が発生するため、バッテリ絶縁MOSFETは通常はリニアモードに移行する。
- 強力なSOA MOSFETは、スイッチが切れるまで安全かつ制御可能に動作し続け、バッテリは負荷回路から完全に絶縁される。
- 通常動作時の導通損失低減のためには低いRDS(on) が要求されるが、安全なバッテリ絶縁のためにはパラメータを最適化する必要がある。
- 堅牢なバッテリ絶縁MOSFETは、機器承認のための一次保護として使用可能。
- バッテリ保護ICは2V~3Vのゲートドライブしか持たない可能性があり、低いVt が必要になる場合がある。
- パワーオーバーイーサネット用ASFET
- ネットワークへの容量性負荷追加時に突入電流を安全に管理することがMOSFETの主な役割。
- 強化・拡張された安全動作領域(SOA)により、PSEコントローラが故障を検出してスイッチを切るまで、短絡フォルト状態による電力散逸に耐えることが可能。
- 競合デバイスの2倍以上の保護を提供する強化された保護機能。ケーブル短絡発生時、PoE用ASFETは+60°Cの環境下で最大30Wを最大20ms間安全に放散することが可能。
- 小型ルーター/スイッチにより多くのハイパワーPoEポートを搭載するには、LFPAK33パッケージの熱効率と小型フットプリントによって得られる優れた電力密度が必要になる。
- DCモーター制御用ASFET
- 最適化されたSOA、高ID定格、優れたアバランシェ能力を備えた36V DCモーター用50V/55V。
- モーターの過負荷条件に対する高いIDを持つタイプは、最大500Aの大電流に対応可能。
- スペースに制約のあるモーター用途向けハーフブリッジタイプは、寄生インダクタンスを60%低減し、熱性能を改善。
- スペースに制約のあるDCモーター向けの繰り返しアバランシェ耐性タイプは、保証された繰り返しアバランシェ性能を提供。
アプリケーション
- パワーオーバーイーサネット(PoE)
- バッテリシステムとeFuse
- DCモーター制御
- ホットスワップとソフトスタート
アプリケーションノート
- インタラクティブ - パワースイッチングアプリケーションでのMOSFET(IAN50020)
- インタラクティブ - リニアモードでのパワーMOSFET(IAN50006)
- インタラクティブ - ハイパワーアプリケーションにおけるパワーMOSFETの並列接続(IAN50005)
- パワーMOSFETのZth曲線の使用(AN11156)
- パワーMOSFETの電気的オーバーストレスの故障サイン(AN11243)
- RCサーマルモデル(AN11261)
- ハイパワーアプリケーションにおけるパワーMOSFETの並列接続(AN50005)
- 安全で信頼性の高いゲートドライブ動作を実現するMOSFETの設計(AN90001)
- LFPAK MOSFETの熱設計ガイド(AN90003)
- パワーMOSFETのデータシートのパラメータを理解する(AN11158)
- RCサーマルモデルの使用(AN11261)
- パワーMOSFETのシングルショットおよび繰り返しアバランシェ耐性の評価(AN10273)
- RCスナバの設計(AN11160)
- パワーMOSFETの並列使用(AN11599)
- リニアモードでのパワーMOSFET(AN50006)
- 安全で信頼性の高いゲートドライブ動作を実現するMOSFETの設計(AN90001)
- ハーフブリッジMOSFETのスイッチングとEMCへの影響(AN90011)
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ブログ
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プレスリリース
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