Nexperia NID1101 高効率理想ダイオード

ネクスペリア (Nexperia) NID1101 高効率理想ダイオードは、低電圧電源システムにおける従来のショットキーダイオードを置き換えるように設計されています。NID1101 は、順方向導通と真の逆電流ブロックの両方を提供しながら、大幅に低い順方向電圧降下を実現します。1.5V〜5.5Vの入力範囲で動作し、最大1.5Aの連続電流をサポートするNID1101は、パワー OR-ing、冗長電源切り替え、および逆電流保護など、電力損失の最小化と正確な電流制御が不可欠なアプリケーションに最適です。デュアル電源構成では、この理想ダイオードは、追加の制御ロジックなしでシームレスなソース遷移を可能にします。コンパクトなWLCSP4(SOT8113)パッケージで提供されるNID1101は、-40°C〜+125°Cの温度範囲で動作するように仕様規定されています。

特徴

  • 入力電圧範囲1.5V~5.5V
  • 低い順方向電圧降下:29mV(代表値)(3.6V 入力、100mA 負荷電流時)
  • 常時逆電圧ブロック、VOUT VIN 時の低リーク電流
  • ディセーブル時の順方向電圧ブロック
  • 小自己消費電流
  • 負荷過渡応答を強化
  • スタートアップ時の制御されたスルーレート
  • 過熱保護
  • 短絡保護
  • SOT8113、4ピン、ウェハレベル チップスケール パッケージ
  • 指定されている温度範囲-40°C~+125°C

アプリケーション

  • スマートウェアラブル
  • ORing アプリケーション
  • ダイオード置換
  • バッテリ・バックアップ・システム
  • USB給電式デバイス

仕様

  • 動作入力電圧範囲: 1.5V~5.5V
  • 動作時出力電圧:0V〜5.5V
  • 最大連続出力電流範囲:0.5A〜1.5A
  • 最大パルススイッチ電流:2A
  • ENピンの電圧範囲:0V〜5.5V
  • 入力電流
    • 最大自己消費電流:1100nA(600nA 代表値)
    • 最大シャットダウン電流:430nA(120nA 代表値)
  • パスFETの最大順方向電圧降下範囲:50mV〜155mV(代表値 21mV〜110mV)
  • 逆電流ブロック
    • RCB アクティベーション(作動開始)電圧:31mV(代表値)
    • RCB 非アクティベーション(作動解除)電圧:41mV(代表値)
    • INへのリーク電流範囲:-220nA〜615nA
    • AOUTへのリーク電流範囲:-200nA〜1200nA
    • INへのリーク電流範囲(ディセーブル時):±500nA
  • イネーブル入力
    • High 閾値:1.2V(最小値)
    • Low 閾値:0.4V(最大値)
    • 45mV標準ヒステリシス
    • 最大電流:50nA
  • 短絡保護 過電流制限:2.2A(代表値)
  • 過熱シャットダウン:175°C(代表値)
  • 過熱ヒステリシス:35°C(代表値)
  • 標準的な動的特性
    • ターンオン遅延時間:660μs
    • 立ち上がり時間:100μs
    • 逆電流ブロック時間:20μs
    • 電流制限応答時間:35μs
  • 接合部・周囲間熱抵抗:173°C/W
  • 接合部・上面間熱特性評価パラメータ:5°C/W
  • ESD定格
    • HBM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 クラス2に準拠して±2000V
    • CDM:ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 クラス C2aに準拠して±500V

簡略アプリケーション

アプリケーション回路図 - Nexperia NID1101 高効率理想ダイオード

機能図

ブロック図 - Nexperia NID1101 高効率理想ダイオード
公開: 2025-11-25 | 更新済み: 2025-12-21