Nexperia NX-xB-GANボード

NX-DP-GAN039-TSC評価ボードを使用すると、上面冷却型銅クリップパッケージ（CCPAK）に収められたGaN FETのダブルパルス試験を行うことができます。低インダクタンス向けに最適化されており、典型的なスイッチング性能評価をサポートするオンボード電流センシング機能があります。降圧モードまたは昇圧モードでの熱抵抗分析と連続ハーフブリッジコンバータ動作をサポートするように構成することもできます。適切なハイパワーインダクタとペアリングすることができ、100kHzのスイッチング周波数で最大5kWの出力電力を達成できます。

NX-HB-GAN039-BSCUL評価ボードは、シンプルな降圧コンバータと昇圧コンバータの構成要素を提供します。これにより650V GaN FETのスイッチング特性と効率性の基礎研究が可能になります。単一のロジック入力と個別の高/低レベル入力を使用できる選択ジャンパを備えています。高電圧入出力で、最大400V_DC で動作し、最大電力出力は3.5kWです。

NX-HB-GAN039-TSCUL評価ボードは、シンプルな降圧コンバータと昇圧コンバータの構成要素を提供します。これにより650V GaN FETのスイッチング特性と効率性の基礎研究が可能になります。単一のロジック入力と個別の高/低レベル入力を使用できる選択ジャンパを備えています。高電圧入出力で、最大400V_DC で動作し、最大電力出力は3.5kWです。

NX-HB-GAN041UL評価ボードは、シンプルな降圧コンバータと昇圧コンバータの構成要素を提供します。これにより650V GaN FETのスイッチング特性と効率性の基礎研究が可能になります。単一のロジック入力と個別の高/低レベル入力を使用できる選択ジャンパを備えています。高電圧入出力で、最大400V_DC で動作し、最大電力出力は3.5kWです。

NX-HB-GAN111UL評価ボードは、GAN111-650WSB GaN FETを使用したシンプルな降圧コンバータと昇圧コンバータの構成要素を提供します。650V GaN FETにより実現できるスイッチング特性と効率性の基礎研究が可能になります。単一のロジック入力と個別の高/低レベル入力を使用できる選択ジャンパを備えています。高電圧入出力で、最大400V_DC で動作し、最大電力出力は2kWです。

NX-HB-GAN3R2-BSC評価ボードは、シンプルな降圧コンバータと昇圧コンバータの構成要素を提供します。これにより100V EモードGaN FETで実現できるスイッチング特性と効率性の基礎研究が可能になります。単一のロジック入力と個別の高/低レベル入力を使用できる選択ジャンパを備えています。電圧入出力で、最大60V_DC での動作が可能で、電力出力は350W以上です。