Nexperia PXNx Nチャンネル ロジックレベル トレンチMOSFET

Nexperia PXNx Nチャンネル ロジックレベル トレンチMOSFETは、さまざまなアプリケーションでの高効率電源管理用に設計されています。これらのNexperia MOSFETは、低いオン状態抵抗(RDS(on))を特長としており、2.8mΩ〜から14mΩの範囲で、60Vおよび100Vのドレイン-ソース電圧(VDS)に対応しています。これらのMOSFETは、ロジックレベルの互換性に最適化されており、二次側同期整流、DC/DCコンバータ、モータドライブ、ロードスイッチング、LED照明に適しています。これらのMOSFETは、熱効率の高いMLPAK33およびMLPAK56パッケージに収められており、コンパクトなフットプリントと強化された熱性能を提供します。低ゲートチャージ(Qg)や高いアバランシェ耐量などの特徴を備えたPXNxシリーズは、厳しい環境下でも信頼性の高い動作を保証します。

特徴

  • 60Vおよび100Vのオプション
  • ドレイン・ソース間オン抵抗
    • 60V用:5.7mΩ〜14mΩ
    • 100V用:2.8mΩ〜2.9mΩ
  • ロジックレベルの互換性
  • トレンチMOSFET技術
  • 小型フォームファクタで熱効率の高いパッケージ
    • 60V用:3.3mm x 3.3mmフットプリント、MLPAK33(SOT8002-1)
    • 100V用:5.15mm x 6.15mmフットプリント、MLPAK56(SOT8038-1)

アプリケーション

  • 二次側同期整流
  • DC/DCコンバータ
  • 家電製品
  • モータドライブ
  • ロードスイッチング
  • LED照明
  • E-バイク(100Vのみ)

仕様

  • ドレイン電流の最大値範囲
    • 39A~83A (60V)
    • 180A~184A (100V)
  • 総電力損失の最大値範囲
    • 43W~79W (60V)
    • 181W(100V)
  • ゲート・ドレイン間電荷量の標準値範囲
    • 60V用:2.1nC~5.7nC
    • 100V用:19nC〜20nC
  • 総ゲート電荷量の標準値範囲
    • 60V用:5.9nC〜16.5nC
    • 100V用:51nC〜74nC
  • ドレイン・ソース間非繰り返しアバランシェエネルギーの最大値範囲
    • 60V用:22.5mJ〜90mJ
    • 100V用:275.6mJ〜714mJ
  • ソース・ドレイン間ダイオード回復電荷量の標準値範囲
    • 60V用:4.9nC〜11nC
    • 100V用:31nC〜48nC
  • ジャンクション温度範囲:-55°C~++150°C
公開: 2025-04-08 | 更新済み: 2025-04-13