NXP Semiconductors BFU5x NPN 広帯域シリコン RF トランジスタ
NXPセミコンダクタ BFU5x NPN広帯域シリコンRFトランジスタはAEC-Q101規格を満たした低ノイズ、高いブレークダウンのRFトランジスタで、小型信号から最大2GHzの中程度の出力アプリケーションに適しています。優れた性能を発揮するBFU5x RFトランジスタは、20dBの最大ゲインおよび900MHzにおけるノイズ指数0.7dBを発生させます。これらのデバイスにより、低電力から中電力域で信号受信が向上し、RFレシーバがノイズ環境でより頑強に動作できます。(低ノイズ)アンプまたはオシレータとして使用する際、BFU5x RFトランジスタは高い供給電圧およびブレークダウン電圧に対応します。これらのデバイスは自動車、通信、および産業用途に最適です。製品ファミリーは、SOT323、SOT23、およびSOT143を含む産業標準パッケージを幅広くご用意しております。特徴
- Low noise, high breakdown RF transistor
- AEC-Q101 qualified
- Suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz
- Enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments
- Minimum noise figure (NFmin) = 0.65dB at 900MHz
- Maximum stable gain 20dB at 900MHz; 22dB at 900MHz (BFU590Q)
- 11GHz or 8GHz fT silicon technology
アプリケーション
- Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
- Broadband amplifiers up to 2GHz
- Low noise amplifiers for ISM applications
- Large signal amplifiers for ISM applications
- Medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz)
- ISM band oscillators
- Automotive
- Satellite
- Broadcast
- FM radio
- General-purpose
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| 部品番号 | データシート | 連続コレクタ電流 | 最大 DC コレクタ電流 | 動作周波数 | 出力電力 | Pd - 電力損失 | RoHS - マウサー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BFU530WX | ![]() |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10 dBm | 450 mW | Y |
| BFU520WX | ![]() |
30 mA | 50 mA | 10 GHz | 7 dBm | 450 mW | Y |
| BFU520YX | ![]() |
30 mA | 50 mA | 10 GHz | 7 dBm | 450 mW | Y |
| BFU530R | ![]() |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10 dBm | 450 mW | Y |
| BFU530XRR | ![]() |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10.5 dBm | 450 mW | Y |
| BFU590QX | ![]() |
200 mA | 300 mA | 8 GHz | 22 dBm | 2 W | Y |
| BFU550R | ![]() |
50 mA | 80 mA | 11 GHz | 13.5 dBm | 450 mW | Y |
| BFU550WX | ![]() |
50 mA | 80 mA | 11 GHz | 13.5 dBm | 450 mW | Y |
| BFU530XAR | ![]() |
40 mA | 65 mA | 11 GHz | 10 dBm | 450 mW | Y |
公開: 2014-09-12
| 更新済み: 2025-11-26

