NXP Semiconductors BFU5x NPN 広帯域シリコン RF トランジスタ

NXPセミコンダクタ BFU5x NPN広帯域シリコンRFトランジスタはAEC-Q101規格を満たした低ノイズ、高いブレークダウンのRFトランジスタで、小型信号から最大2GHzの中程度の出力アプリケーションに適しています。優れた性能を発揮するBFU5x RFトランジスタは、20dBの最大ゲインおよび900MHzにおけるノイズ指数0.7dBを発生させます。これらのデバイスにより、低電力から中電力域で信号受信が向上し、RFレシーバがノイズ環境でより頑強に動作できます。(低ノイズ)アンプまたはオシレータとして使用する際、BFU5x RFトランジスタは高い供給電圧およびブレークダウン電圧に対応します。これらのデバイスは自動車、通信、および産業用途に最適です。製品ファミリーは、SOT323、SOT23、およびSOT143を含む産業標準パッケージを幅広くご用意しております。

特徴

  • Low noise, high breakdown RF transistor
  • AEC-Q101 qualified
  • Suitable for small signal to medium power applications up to 2GHz
  • Enable RF receivers to operate more robustly in noisy environments
  • Minimum noise figure (NFmin) = 0.65dB at 900MHz
  • Maximum stable gain 20dB at 900MHz; 22dB at 900MHz (BFU590Q)
  • 11GHz or 8GHz fT silicon technology

アプリケーション

  • Applications requiring high supply voltages and high breakdown voltages
  • Broadband amplifiers up to 2GHz
  • Low noise amplifiers for ISM applications
  • Large signal amplifiers for ISM applications
  • Medium power amplifiers (500mW at a frequency of 433MHz or 866MHz)
  • ISM band oscillators 
  • Automotive
  • Satellite
  • Broadcast
  • FM radio
  • General-purpose
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部品番号 データシート 連続コレクタ電流 最大 DC コレクタ電流 動作周波数 出力電力 Pd - 電力損失 RoHS - マウサー
BFU530WX BFU530WX データシート 40 mA 65 mA 11 GHz 10 dBm 450 mW Y
BFU520WX BFU520WX データシート 30 mA 50 mA 10 GHz 7 dBm 450 mW Y
BFU520YX BFU520YX データシート 30 mA 50 mA 10 GHz 7 dBm 450 mW Y
BFU530R BFU530R データシート 40 mA 65 mA 11 GHz 10 dBm 450 mW Y
BFU530XRR BFU530XRR データシート 40 mA 65 mA 11 GHz 10.5 dBm 450 mW Y
BFU590QX BFU590QX データシート 200 mA 300 mA 8 GHz 22 dBm 2 W Y
BFU550R BFU550R データシート 50 mA 80 mA 11 GHz 13.5 dBm 450 mW Y
BFU550WX BFU550WX データシート 50 mA 80 mA 11 GHz 13.5 dBm 450 mW Y
BFU530XAR BFU530XAR データシート 40 mA 65 mA 11 GHz 10 dBm 450 mW Y
公開: 2014-09-12 | 更新済み: 2025-11-26