NXP Semiconductors GD3162高度IGBT/SiCゲートドライバ
NXP Semiconductors GD3162高度IGBT/SiCゲートドライバは、xEVトラクションインバータでSiCおよびIGBTモジュールを駆動するように設計されています。NXP Semiconductors GD3162ドライバを使用すると、高度ゲート駆動機能によって省スペースと性能が実現します。このデバイスには、統合ガルバニック絶縁、プログラマブルSPIインターフェイス、過温度、不飽和、電流センス保護などの高度保護機能が搭載されています。統合ブースト機能が搭載されたGD3162は、大半のSiC MOSFETおよびIGBT/SiCモジュールゲートを直接駆動できます。
特徴
- 最大10A/20A/30Aソース/シンク電流まで駆動強度の向上を目的とした統合ブースト機能
- 最高VCC 出力電圧：25V
- プログラマブルADC遅延- PWMの立ち上がりエッジまたは立ち下がりエッジから最大8μsのサンプリング遅延
- プログラマブルオフセットとゲインが備わったNTCサーミスタまたはダイオードセンサ用の統合HV温度センシング (TSENSE)
- 高速VCE DeSat検出と反応時間：< 1µs（SiC）
- スイッチング損失 (SiC) の低減を目的に改善されたPWMデッドタイム範囲
- プログラマブル2レベルターンオフ(2LTO) およびソフトシャットダウン(SSD)
- DCリンクコンデンサを積極的に放電するMCU制御または安全ロジック制御ゲートドライブのいずれかを実現
- その他のプログラマブルフォールトピン (INTA)
- 統合HV故障管理（FSISO）
- プログラム可能VCE 出力監視
- 最小コモンモード過渡耐性(CMTI) ：> 100V/n
- UL1577準拠の5,000Vrms ガルバニック絶縁（計画済）
アプリケーション
- 電気自動車 (EV) トラクション・インバータ
- ハイブリッドEV (HEV)
- モータドライブ
ビデオ
ブロック図
評価ボード
NXP Semiconductors RDGD3162I3PH5EVB評価ボード
GD3162ゲートドライバ6台が搭載されているフル機能評価ボードです。
NXP Semiconductors FRDMGD3162RPEVMハーフブリッジ評価キット
GD3162シングル・チャンネルIGBT/SIC MOSFETゲートドライバを2台搭載。
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公開: 2024-02-23
| 更新済み: 2024-12-17