特徴
- MHT2012N RF LDMOS統合型パワーアンプ
- ディスクリート設計に比べてレイアウトの簡素化とPCB領域の削減を実現する高ゲイン
- 最高32VDD動作まで認定済
- オンチップ入力と段間マッチング(50Ω入力)
- 有効化/無効化機能が搭載された統合自己消費電流温度補償
- 集積ESD保護
性能
公開: 2019-11-18
| 更新済み: 2023-10-19
日本|
日本円
インコタームズ:発注時に消費税が加算されたDDP All prices include duty and customs fees. ¥6,000 (JPY) を超えるご注文は通常、発送無料となります |
|
米国ドル
インコタームズ:FCA (発送場所) 関税、通関手数料、消費税は、商品お届け時にお支払いください。 $50 (USD) を超えるご注文は通常、発送無料となります |