NXP高性能RF

NXPは、最も要求の厳しいRF用途の仕様を満たす設計を可能にします。NXP RFの製品を用いて、効率、電力、耐久性、一貫性、統合レベルに対して潜在的なトレードオフを維持しつつ、システムを最高仕様に設計できます。あなたがRF性能の改善、高効率の信号チェーンの設計、または革新的なISMアプリケーションで新境地を得ようとしているか否かに関わらず、NXPの創造的な思考と専門家のサポートは、あらゆる方法のあらゆるステップに有用です。

高性能RFにおける業界の揺るぎないリーダーとして、NXPは毎年40億個以上の製品を出荷しています。これらの高性能RF製品は、衛星用受信機、携帯基地局、ISM(産業、科学、医療)への送信機、航空宇宙、から防衛アプリケーションまで、さまざまな用途で重要な役割を果たしています。革新的なドハティ電力増幅器アーキテクチャ、JESD204Aシリアル化データインターフェース、分のGPS LNA sは、あなたの指先で一定の革新的なNXPの場所となります。

NXP高性能RFリソース

ブロードキャスト、ISM、軍事と航空宇宙アプリケーションビデオ向けNXPのRFパワートランジスタ
NXP Varicapダイオード
NXP semiconductorsのvaricapダイオードをなぜ選ぶのか:
  • 直接適合プロセス
  • 小さい公差
  • 広い周波数範囲とさまざまなパッケージ(ピンなしを含む)に対応する完全ポートフォリオ
Varicapダイオード選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケース電気容量最小チューニング比率Vr - Reverse Voltage
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NXP PINダイオード
NXP semiconductorsのPINダイオードをなぜ選ぶのか:
  • ボードポートフォリオ
  • 比類のない性能
  • 低直列インダクタンス
  • 低挿入損失
  • 低い電気容量
PINダイオード選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケース最大ダイオード静電容量If - Forward CurrentIr - Reverse CurrentVf - Forward VoltageVr - Reverse Voltage
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NXPショットキーダイオード
NXP Semiconductorsショットキーダイオードをなぜ選ぶのか:
  • (非常に)低いダイオード電気容量
  • 非常に低い順方向電圧
  • シングル/トリプル絶縁ダイオード
  • (超/非常に)小型のパッケージ

ショットキーダイオード選択ガイド
部品番号パッケージ/ケースVrrm - 繰返し逆電圧If - 順電流(Forward Current)設定Vf - 順電圧(Forward Voltage)Ir - 逆電流(Reverse Current)Ifsm - 順方向サージ電流(Forward Surge Current)データシート









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RF MMIC

NXPのスマートRF MMIC(モノリシックマイクロ波IC)は、自動的に温度およびプロセス変動を補償します。ボードスペース要件を劇的に削減し、トランジスタ、レジスタ、コンデンサを単一デバイス内に統合します。NXPの50Ωゲインブロックおよび低ノイズデバイスの豊富な選択は、外部整合部品を必要とせず、システム全体のコストを削減して信頼性を増大させます。

RF MMIC選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケースP1dB - Compression Point動作周波数NF - Noise FigureOIP3 - Third Order Intercept
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RFモジュール

NXPは、CATV製品の世界最大のサプライヤーのうちの1社で、光学レシーバ、パワーダブラー、 プッシュプル、逆アンプを提供します。また、弊社には、最新のプロセスを用いて作成された光ネットワークシステムの品揃えを対象とした完全ソリューションがあります。

光学レシーバ選択ガイド
部品番号パッケージ/ケース説明データシート




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パワーダブラ選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケースGain動作周波数Operating Supply Current
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プッシュプル選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケース動作周波数GainOperating Supply Current
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逆アンプ選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケース動作周波数GainOperating Supply Current
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NXP RFバイポーラトランジスタ

遷移周波数とノイズ/ゲイン性能に応じて分類されたNXPの広帯域トランジスタは、ホストのパッケージ、プロセス、仕様のオプションを提供します。範囲は、現在では第7世代までになっており、20GHz~100MHzの動作周波数を提供します。

第5~7世代NXP RFバイポーラトランジスタ
部品番号データシートパッケージ/ケースコレクタ - エミッタ電圧VCEO最大値連続コレクタ電流Operating FrequencyPd - Power Dissipation
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小型信号FET

NXPは、NチャンネルデュアルゲートMOSFETからアプリケーションを切り替えるための専用のPチャネルのJFETに至るまで、幅広い証明されたRF小信号FETを提供します。

Nチャンネル接合部FET選択ガイド
部品番号パッケージ/ケースVds - ドレインソース間絶縁破壊電圧Vgs - ゲート-ソース間絶縁破壊電圧Id - 連続ドレイン電流Rdsオン - ドレイン‐ソース間抵抗Pd - 電力損失データシート








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切替選択ガイド向けNチャンネル接合部FET
部品番号パッケージ/ケースVds - ドレインソース間絶縁破壊電圧Vgs - ゲート-ソース間絶縁破壊電圧Id - 連続ドレイン電流Pd - 電力損失データシート







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NチャンネルデュアルゲートMOSFET選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケースVds - ドレインソース間絶縁破壊電圧Vgs - Gate-Source VoltageId - 連続ドレイン電流Pd - 電力損失
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NチャンネルシングルゲートMOSFET選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケースVds - ドレインソース間絶縁破壊電圧Vgs - Gate-Source VoltageId - 連続ドレイン電流Rdsオン - ドレイン‐ソース間抵抗Vgs th - ゲート-ソース間閾電圧
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切替選択ガイド向けPチャンネル接合部FET
部品番号パッケージ/ケースVds - ドレインソース間絶縁破壊電圧Vgs - ゲート-ソース間絶縁破壊電圧Id - 連続ドレイン電流データシート






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RFパワートランジスタ

双極性のソリューションと共に、LDMOSの世界的リーダーであるNXPは、クラス最高の効率性、電力、耐久性を提供するRFパワートランジスタの品揃えを提供し、基地局、放送/ISMおよび航空宇宙と防衛アプリケーション向けの全周波数に対応しています。


RFパワートランジスタ選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケースVds - ドレインソース間絶縁破壊電圧Vgs - Gate-Source VoltageId - 連続ドレイン電流Rdsオン - ドレイン‐ソース間抵抗
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RFマイクロ波トランジスタ

NXP Semiconductorsは、プラスチック製4ピンのデュアルエミッターSOT343Fパッケージに収められた、低ノイズで高直線性を備えたBFU7xxFマイクロ波トランジスタを提供します。BFU710Fマイクロ波トランジスタは、12GHzで14dBの高い最高電力ゲインおよびノイズ数値 = 12GHzで1.45dBが特徴です。BFU760Fマイクロ波トランジスタは、1.8GHzで32dBmの高い最大出力3次インターセプトポイントが特徴です。BFU790Fマイクロ波トランジスタは、1.8GHzで1dB圧縮20dBmの高い最大出力電力が特徴です。NXP Semiconductors BFU7xxFマイクロ波トランジスタの用途 には、高直線性アプリケーション、中出力電力アプリケーション、GPS、ZigbeeおよびBluetoothがあります。

RFマイクロ波トランジスタの選択ガイド
部品番号データシートパッケージ/ケースコレクタ - エミッタ電圧VCEO最大値連続コレクタ電流DCコレクター/ベース電流増幅率 hfe/分Pd - Power Dissipation
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RFマイクロ波トランジスタの評価ボード
部品番号説明評価対象デバイスデータシート




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公開: 2010-10-11 | 更新済み: 2026-01-29