onsemi FFSx0865B-F085 650V SiCショットキーダイオード

onsemi FFSx0865B-F085 650V 8Aシリコンカーバイド(SiC)ショットキーダイオードには、優れたスイッチング性能およびシリコンに対するさらなる高信頼性を実現できるテクノロジーが採用されています。FFSx0865B-F085 SiCダイオードは、温度の影響を受けないスイッチング特性が特徴で、逆回復電流がなく、優れた熱性能が備わっています。その他のメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。FFSx0865B-F085 650V、8A SiCショットキーダイオードは、D2PAK-3パッケージでご用意があります。

特徴

  • 最高接合部温度+175°C
  • アバランシェ定格33mJ
  • 高サージ電流能力
  • 正温度係数
  • 並列接続が簡単
  • 逆方向リカバリなし/順方向リカバリなし
  • AEC-Q101認定およびPPAP対応
  • 無鉛
  • ハロゲンフリー/BFRフリー
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • 車載用HEV-EVオンボード充電器
  • 車載用HEV-EV DC-DCコンバータ

電気的接続

ロケーション回路 - onsemi FFSx0865B-F085 650V SiCショットキーダイオード
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部品番号 データシート パッケージ/ケース Ifsm - 順方向サージ電流(Forward Surge Current) Pd - 電力損失
FFSB0865B-F085 FFSB0865B-F085 データシート D2PAK-2 56 A 73 W
FFSD0865B-F085 FFSD0865B-F085 データシート DPAK-3 (TO-252-3) 42 A 91 W
公開: 2019-11-07 | 更新済み: 2024-02-05