onsemi エネルギーインフラ用ソリューション
onsemiのソリューションは、 政府の政策と消費量の増加によって急速に進化を遂げているエネルギーの生成、流通、貯蔵の現状に対処するエネルギーインフラを対象としています。効率目標の向上、CO2排出量の削減、再生可能エネルギーとクリーンエネルギーへの注目は、このエネルギーインフラ進化の主要な要素です。onsemiは、エネルギー効率の高いソリューションの包括的なポートフォリオを提供しており、シリコンカーバイド（SiC）ダイオード、インテリジェント・パワー・モジュール、電流センスアンプといったハイパワー・アプリケーションのニーズに対処できます。
ソーラーインバータ
ソーラーパワーモジュールは、再生可能エネルギーの生成において最も一般的な商用および民生用の選択肢の1つです。この再生可能エネルギーには、可変電源を標準化された電気回路網に統合するという課題があります。ソーラーインバータは、DCソーラーパネルをAC電気グリッドに整流する上で重要な役割を果たしています。効率的なAC/DC変換に加えて、ソーラーインバータは、一般的に光起電力ダイオードの非線形応答の監視に使用されており、最大出力が確保されます。onsemiは、セルからグリッドに至るまでエネルギーを感知、保護、制御する設計の完全なソリューションを提供しています。
無停電電源（UPS）
無停電電源装置は、時間とデータに依存するデジタルネットワークにとって不可欠です。計算分析、データの保管と配布、テレコミュニケーションシステム、さらには都市の選択に至るまで、すべてUPSで規定されている一定の電源に依存しています。これらの保護電源は、一般的に電力のフローに統合されています。これによって、バッテリまたはその他のストレージデバイスの常時モニタリングされエネルギー供給されるようになり、システム障害が発生した場合にUPSは完全にサポートできます。この監視、充電、AC/DC整流には、高電流状態の能力があるだけでなく効率的なシリコンが必要です。onsemiは、停電の有無にかかわらず電力を制御し変換するための設計である、エネルギー効率に優れたソリューションを提供しています。
電気自動車の充電
電気自動車充電ステーションは、EVインフラ構築において最も不可欠なコンポーネントです。ソーラー変換またはバックアップ電源とは異なり、EV充電ステーションは、アプリケーションのエッジに依存しています。これらのステーションには、広範な適応性および使用が可能になる標準化フォーマットでの電力の伝達・転送能力が必要です。高速充電時間と効率的なAC/DC整流の複雑性に加えて、EV充電ステーションには、エンドユーザーに対する安全性と対話型機能も必要です。onsemiは、電力を電気自動車に迅速かつシームレスに伝達するように設計された完全ソリューションです。
高電流ゲートドライバ
onsemiのNCD570x絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ（IGBT）ゲートドライバは、ソーラーインバータ、モータ制御、無停電電源装置（UPS）といった高出力アプリケーション向けの大電流、高性能デバイスです。これらのゲートドライバは高度に統合されており、数多くの外付け部品を排除することで費用対効果の高いソリューションを提供しており、保護機能が統合されています。
電流検出アンプ
電流消費モニタリングによって、システムの安全性と診断機能を支援する重要な情報が提供されます。onsemisは、外付けレジスタが統合されている電流センスアンプを提供していおり、費用対効果の高いスタンドアロン型オペアンプに加えて、さらなる効率性および小型ソリューションになっています。
650Vおよび1200V IGBT
onsemiの650V & 1200V絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ（IGBT）は、堅牢で費用対効果が高い超フィールドストップトレンチ構造が特徴で、要求の厳しいスイッチング・アプリケーションで優れた性能を発揮し、低オン状態電圧と最小スイッチング損失の両方を実現しています。
650V SuperFET III MOSFET
onsemiの650V SuperFET IIIシリーズには、高性能スーパージャンクションMOSFETが備わっており、高電力密度用に特別に設計されています。ベストインクラスのFOMおよびEOSSを特徴とするSuperFET III技術によって、従来の業界をリードする技術に比べて同じパッケージサイズでRDS(ON)を40％以上削減しています。これによって製品の設計者は、同じフットプリントでパッケージサイズを縮小させたり消費電力を増加できます。SuperFET IIIは、堅牢なボディダイオードおよび良好なバランスのスイッチング動作が特徴です。
100V & 150V PowerTrench MOSFET
これらのMOSFETは、onsemiの高度PowerTrench®プロセスを使用して生産されており、シールドゲート技術が組み込まれています。シリコンとDual Cool™パッケージ技術の双方の進歩は、非常に低い接合部対周囲熱抵抗によって優れたスイッチング性能を維持しながら、最低レベルのrDS(on)を供給できるように組み合わされています。
インテリジェントパワーモジュール（IPM）
onsemiのパワーモジュールは、エネルギーインフラアプリケーションを対象としており、フル機能の高性能Boost PFC（力率補正）入力電力段を実現しています。これらのモジュールには、内蔵型MOSFETの最適化されたゲートドライブが組み込まれており、EMIと損失を最小化する一方で、不足電圧ロックアウト、過電流シャットダウン、サーマルモニタリング、障害報告を始めとする複数のオンモジュール保護機能も実現しています。
パワー統合モジュール（PIM）
パワー統合モジュールには、車載用着火IGBTおよびインテリジェントパワーモジュール（IPM）開発、ならびにパッケージングの専門知識においてonsemiの豊富な経験が活用されており、最高の業界規格に完全に適合する電力ソリューションが実現しています。さらに、onsemiモジュール・ソリューションは、シリコンおよびパッケージングを目的とした完全統合サプライチェーンを顧客に提供しており、高い品質とコスト効率が保証されています。
NXH80B120L2Q0SGは、2つの40A/1200V IGBT、2つの15A/1200V SiCダイオード、IGBT用の2つの25A/1600V逆並列ダイオードで構成されているデュアルブースト・ステージが搭載されているパワーモジュールです。突入電流制限に使用される2つの追加の25A/1600Vバイパス整流器が含まれています。オンボードサーミスタが含まれています。
高電圧整流器
onsemiの高電圧整流器のポートフォリオには、多種多様なアプリケーションを対象としたベストインクラスのソリューションがあり、設計要件のための柔軟性を顧客に提供しています。
シリコンカーバイド・ダイオード
シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオードには、完全に新しい技術が採用されており、優れたスイッチング性能およびシリコンに対するさらなる高信頼性が実現しています。逆回復電流、温度の影響を受けないスイッチング特性、優れた熱性能によって、次世代パワー半導体としてシリコンカーバイドが設定されています。システムのメリットとして、最高クラスの効率性、より早い動作周波数、電力密度の増大、EMIの削減、システムサイズとコストの削減があります。
オプトカプラ
onsemiのオプトカプラのポートフォリオには、多種多様なアプリケーションを対象としたベストインクラスのソリューションがあり、設計要件のための柔軟性を顧客に提供しています。