onsemi CAT93C86 16Kb MicrowireシリアルEEPROM

オンセミ (onsemi)CAT93C8616Kb Microwire SerialEEPROMはメモリデバイスで、16 ビット(ORG ピンはVCC)または 8 ビット(ORG ピンは GND)のレジスタとして構成されます。各レジスタは、DI (またはDO) ピンを使用してシリアルに書き込む (または読み出す) ことができます。オンセミ (onsemi) CAT93C86は、高度CMOS EEPROM浮動ゲートテクノロジーを使用して製造されています。このデバイスは、100万回のプログラム/消去サイクルに耐えるように設計されており、100年間のデータ保持があります。このデバイスは、8ピンDIPおよび8ピンSOICパッケージでご用意があります。

特徴

  • 3MHz/VCC = 5V高速動作
  • 低消費電力CMOSテクノロジ
  • 1.8V 5.5V動作
  • 選択可能な x8 または x16のメモリ編成
  • 自動クリア機能付きセルフタイミング書き込みサイクル
  • ハードウェアとソフトウェアの書き込み保護
  • 電源投入時の不注意による書き込み保護
  • 順次読み取り
  • プログラムイネーブル(PE)ピン
  • 100万回のプログラム/消去サイクル
  • 100年データ保持
  • 産業用および拡張された温度範囲
  • 8リード PDIPおよびSOICパッケージ
  • リードフリー、ハロゲンフリー / BFRフリー、RoHS準拠

アプリケーション

  • データストレージ
  • マイクロコントローラインターフェイス
  • 家電製品
  • 産業オートメーション
  • 車載用
  • スマート・カード
  • ネットワーク用機器
  • 医療機器

仕様

  • バイアス範囲で-55°C〜+125°Cの温度
  • 1.0W最高パッケージ電力損失能力
  • 100mA最大出力短絡電流
  • DC動作
    • 3mA最大書き込み電源電流
    • 500µA最大読取電源電流
    • 10µA最大電源電流(スタンバイ、x8、x16モード)
    • 1µA最大入力/出力リーク電流
    • 出力電圧範囲0.4V~2.4V
  • 5pF最大入力/出力ピン静電容量
  • 読取/書込動作に対する1ms最大パワーアップ
  • 2,000V最小ESD感受性
  • JEDEC標準17に準拠した100mA最小ラッチアップ
  • ACテスト
    • ≤50nsの入力立ち上がり/立ち下がり時間
    • 入力パルス電圧範囲:0.4V〜2.4V
    • 0.8Vおよび2,0Vタイミング基準電圧オプション

機能図

ブロック図 - onsemi CAT93C86 16Kb MicrowireシリアルEEPROM

パッケージ寸法

機械図面 - onsemi CAT93C86 16Kb MicrowireシリアルEEPROM
公開: 2024-10-22 | 更新済み: 2026-01-07