onsemi e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ

オンセミ(onsemi)e2PowerEdge低V CE(sat)トランジスタは、超低飽和電圧(V CE(sat))および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント(電源管理)です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン(ベータ)によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。

特徴

  • 大電流
  • 低VCEsat
  • ESD堅牢性
  • 高電流ゲイン
  • 高カットオフ周波数
  • 低背パッケージ
  • リニア・ゲイン(ベータ)

アプリケーション

  • 負荷スイッチング
  • バッテリ充電
  • 外部パス・トランジスタ
  • DC/DCコンバータ
  • コンプリメンタリドライバ
  • 拡張電流、および低ドロップアウトによるレギュレーション維持
  • 蛍光灯のカソード駆動
  • ペリフェラル・ドライバ - LED、モータ、リレー
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部品番号 データシート パッケージ/ケース トランジスタ極性 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大 DC コレクタ電流
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G データシート SOIC-8 NPN 40 V 82 mV 3 A
NSV1C301CTWG NSV1C301CTWG データシート LFPAK-4
NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G データシート SOIC-8 PNP 40 V 135 mV 3 A
NSS40300MDR2G NSS40300MDR2G データシート SOIC-8 PNP 40 V 135 mV 3 A
NSS40301CTWG NSS40301CTWG データシート LFPAK-4
NSS40302PDR2G NSS40302PDR2G データシート SOIC-8 NPN, PNP 40 V 82 mV, 135 mV 3 A
NSS12100UW3TCG NSS12100UW3TCG データシート WDFN3 PNP 12 V 400 mV 1 A
NSS1C301CTWG NSS1C301CTWG データシート LFPAK-4
NSS20200DMTTBG NSS20200DMTTBG データシート WDFN6 20 V 250 mV
NSS60200LT1G NSS60200LT1G データシート SOT-23-3 PNP 60 V 180 mV 2 A
公開: 2024-05-14 | 更新済み: 2025-10-27