onsemi e2PowerEdge 低VCE(sat)トランジスタ
オンセミ(onsemi)e2PowerEdge低V CE(sat)トランジスタは、超低飽和電圧(V CE(sat))および大電流ゲイン機能が特徴のミニチュア表面実装デバイスです。これらは、手頃な価格で効率的なエネルギー制御が不可欠な低電圧、高速スイッチングアプリケーション用に設計されています。代表的なアプリケーションは、携帯電話やコードレス電話、PDA、コンピュータ、プリンタ、デジタル・カメラ、MP3プレーヤなどのポータブルおよびバッテリ駆動製品のDC/DCコンバータおよびパワーマネジメント(電源管理)です。その他のアプリケーションには、ディスクやテープドライブといったマスストレージ製品における低電圧モータ制御があります。自動車産業では、エアバッグの展開や計器クラスタで使用できます。高電流ゲインにより、オンセミ (onsemi) e2PowerEdgeデバイスをPMUの制御出力から直接駆動でき、リニア・ゲイン(ベータ)によりアナログ・アンプの理想的なコンポーネントになります。特徴
- 大電流
- 低VCEsat
- ESD堅牢性
- 高電流ゲイン
- 高カットオフ周波数
- 低背パッケージ
- リニア・ゲイン(ベータ)
アプリケーション
- 負荷スイッチング
- バッテリ充電
- 外部パス・トランジスタ
- DC/DCコンバータ
- コンプリメンタリドライバ
- 拡張電流、および低ドロップアウトによるレギュレーション維持
- 蛍光灯のカソード駆動
- ペリフェラル・ドライバ - LED、モータ、リレー
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| 部品番号 | データシート | パッケージ/ケース | トランジスタ極性 | コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 | コレクタ - エミッタ飽和電圧 | 最大 DC コレクタ電流 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSS40301MDR2G | ![]() |
SOIC-8 | NPN | 40 V | 82 mV | 3 A |
| NSV1C301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS40300DDR2G | ![]() |
SOIC-8 | PNP | 40 V | 135 mV | 3 A |
| NSS40300MDR2G | ![]() |
SOIC-8 | PNP | 40 V | 135 mV | 3 A |
| NSS40301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS40302PDR2G | ![]() |
SOIC-8 | NPN, PNP | 40 V | 82 mV, 135 mV | 3 A |
| NSS12100UW3TCG | ![]() |
WDFN3 | PNP | 12 V | 400 mV | 1 A |
| NSS1C301CTWG | ![]() |
LFPAK-4 | ||||
| NSS20200DMTTBG | ![]() |
WDFN6 | 20 V | 250 mV | ||
| NSS60200LT1G | ![]() |
SOT-23-3 | PNP | 60 V | 180 mV | 2 A |
公開: 2024-05-14
| 更新済み: 2025-10-27

