onsemi FAD1100-F085 イグニション・ゲート・ドライバIC
onsemi FAD1100-F085 イグニション・ゲート・ドライバICは、イグニションIGBTを直接駆動してコイルの電流およびスパーク・イベントを制御するように設計されています。コイル電流は入力ピンで制御されます。このピンがハイになると、FAN1100-F085の出力が有効化され、IGBTがオンになり、コイルの充電が開始します。このデバイスは、RA線のプログラミングされた値に基づいて、電流 (IIN) を入力ピンへシンクします。
信頼性の高い動作を確保するために、内部スパイク・フィルタは持続時間が13マイクロ秒よりも短い入力パルスを抑制します。また、プログラム可能なMax Dwellタイマを内蔵しており、入力のアクティブ状態がプログラムされた時間より長い場合、IGBTをオフにします。この時間の間隔は、CSSDピンの外部キャパシタで変更できます。時間の上限を過ぎると、onsemi FAN1100-F085はソフトシャットダウンモードに入り、ゲートドライブからIGBTへ下げます。これによりコレクタ電流をゆっくり降下させ、予期しないスパーク・イベントを抑制するなどのためにコイルを安全に放電させます。ソフト・シャットダウン動作が開始されると、シーケンスが完了するまで入力信号の遷移は一切無視されます。また、FAD1100-F085は、コイル充電中のIGBTのコレクタ電流をIc(lim)に制限します。これもまた、FAN1100_F085 の VSENSEピンへの信号入力を生成するIGBTのエミッタ・レッグにあるセンス抵抗器によって行われます。
特徴
- イグニッション用IGBTの駆動に最適化された5V出力レベル
- RAラインを介してプログラム可能な入力電流（13µs入力スパイク・フィルタ）
- IGBT電流検出と電流制限
- プログラム可能な最大滞留時間、ソフトシャットダウンによる保護機能
- イグニションまたはバッテリラインからの動作 最低6V
- ジャンプ・スタート時の28Vバッテリに対応
- 過電圧保護
- 接地シフト許容差 ±1.5V
- SOIC8パッケージ（ケース品番751EB）、またはベアダイで販売
- AEC-Q100 Grade 0認定済み
- リードフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 車載イグニションシステムでのイグニションIGBTの駆動に特化した設計
- コンパクト・サイズと高いシステム性能が求められるスイッチ・オン・コイル方式に最適
- イグニッションコイル・ドライバ回路において、コイル電流およびスパーク・イベントの制御に使用
- イグニッションの制御にプログラム可能な滞留時間、ソフトシャットダウン、電流制限を必要とするシステムに適用可能
仕様
- 標準動作コレクタ（コイル）動作電流 12A
- 標準コイル一次側動作インダクタンス 1.5mH
- 標準コイル一次側動作抵抗 0.4Ω (+25°C)
- 標準動作負荷抵抗 2Ω（遅延時間測定用）
- 最大許容損失（連続）0.625W @ TA = +25°C
- 電源
- コイルスイッチング機能の動作電圧範囲 4V～28V
- 全機能の動作電圧範囲 6V～28V
- 最大供給電流5mA
- バッテリ・クランプ電圧範囲 33V～40V
- Senseピン
- 電流制限時センス電圧閾値範囲 170mV～215mV
- VSENSEピンからの最大ソース電流 70µA
- 標準入力スパイク・フィルタ 13µs
- 標準ターンオン/オフ遅延時間 15μs
- 入力制御
- 入力低電圧 (最小) 1.2V
- 入力高電圧 (最大) 2.0V
- 入力電流範囲 0.5mA (RA = 200kΩ)～15mA (RA = 5.2kΩ)
- ゲート出力電圧
- 16kΩプルダウン抵抗接続時の最大範囲 4.5V～6V
- 最小範囲 (0mA <>GATE < 0.4ma="" @="" ta="+25°C)">
- 診断保護と機能
- 入力リファレンス電流の抵抗範囲 5.2kΩ～200kΩ
- 滞留時間用コンデンサの最小値 2.3nF
- 最大滞留時間範囲 30ms～60ms
- ソフト・シャットダウンのスルー・レート範囲 0.7A/ms～2.5A/ms
- TDMAXのCSSDピン電流範囲 0.75µA～1.25µA
- 最大接合部−周囲間熱抵抗 200°C/W
- 最大周囲動作温度範囲 -40°C～+150°C
- +260°Cの最大リードハンダ付け温度
- ESD耐圧 (HBM) 2kV
標準アプリケーション図
簡略ブロック図
公開: 2026-02-25
| 更新済み: 2026-03-03