onsemi NCP51752絶縁型シングルチャンネル・ゲートドライバ
onsemi NCP51752絶縁シングルチャンネル・ゲートドライバは、パワーMOSFETおよびSiC MOSFETパワースイッチの高速スイッチング駆動に最適です。NCP51752は、4.5Aソース/ピーク9Aシンク電流、および短絡/整合伝播遅延が特長です。信頼性、dV/dt耐性を向上し、さらにターンオフを加速するため、NCP51752は革新的な負バイアスレールメカニズムを内蔵しています。onsemiのドライバは、(ハイ/ロー)両サイドのドライバの独立した低電圧ロックアウトなど、重要な保護機能を提供します。VCC UVLO閾値は、VEE レベルに関係なくGND2を基準にし、真のUVLOを実現しています。NCP51752は、4mm SOIC-8パッケージで提供され、最大3.75kVRMS までの絶縁電圧をサポートできます。特徴
- オプション
- GND2を基準としたVCC UVLO
- GND2とVEE ピンの間の内蔵負バイアス
- トリム経由で選択可能な負バイアスレベル
- 入力供給電圧: 3V ~ 20V
- 6.5V ~ 30Vの出力供給電圧(6Vおよび8V(MOSFET)、12Vおよび 17V (SiC、閾値))
- 4.5Aピークソース、9Aピークシンク出力電流能力
- 200V/ns dV/dtの最小CMTI
- 入力ピンでの負の5V処理能力
- 36nsの標準伝搬遅延(5nsの最大遅延整合あり)
- 絶縁と安全性
- 絶縁 3.75kVRMS /1分間(UL1577要件に準拠、計画中)
- GB4943.1-2011に沿ったCQC認証(計画済)
- IEC 62386-1に準じたSGS FIMO認証(計画済)
アプリケーション
- モータドライブ
- DC-DCおよびAC-DC電源での絶縁コンバータ
- サーバ、テレコム、産業インフラストラクチャ
- UPSとソーラーインバータ
標準アプリケーション回路
簡略ブロック図
公開: 2024-05-03
| 更新済み: 2024-07-31
