onsemi NCP81075デュアルMOSFETゲートドライバ
onsemi NCP81075デュアルMOSFETゲートドライバは、非同期バックコンバータのハイサイドおよびローサイド両方のパワーMOSFETを駆動するように設計されています。NCP81075には、ドライバICとオンチップブートストラップダイオードが統合されており、外部ディスクリートダイオードの必要性を排除しています。高フローティングトップドライバ設計によって、最大180VまでのHB電圧に対処できます。ローサイドおよびハイサイドは各々で制御されており、お互いのターンオンおよびターンオフの間で4nsに整合します。独立した電圧不足ロックアウトは、ハイサイドとローサイドドライバの両方に提供されており、駆動電圧が特定の閾値を下回ったときに出力を強制的にローにします。NCP81075は、SOIC-8、DFN8、WDFN10パッケージで提供されており、設計の柔軟性を目的としています。また、無鉛、ハロゲンフリー/BFRフリーでRoHSに準拠しています。特徴
- ハイサイドおよびローサイドで2つのNチャンネルMOSFETを駆動
- ハイサイド・ゲートドライブ用の統合ブートストラップ・ダイオード
- ブートストラップ電源電圧範囲:最大DC 180V
- 4Aソース、4Aシンク出力電流能力
- 一般的な立ち上がり時間8ns/立ち下り時間7nsで1nF負荷を駆動
- 広い8.5V~20V供給電圧範囲
- 高速20nsの伝搬遅延時間(標準)
- 2ns遅延整合(標準)
- 1000pF負荷で8nsの立ち上がり/7nsの立ち下がり時間
- 最大1MHzのスイッチング周波数
- 駆動電圧の不足電圧ロックアウト(UVLO)
- -40°C~140°Cの接合部動作温度範囲
- パッケージオプション: SOIC-8、DFN8、WDFN10
- 無鉛
- ハロゲンフリー/BFRフリー
- RoHS準拠
アプリケーション
- バックコンバータ
- テレコムおよびデータコム
- 絶縁型電源
- クラスDオーディオアンプ
- 2つのスイッチとアクティブクランプ順方向コンバータ
- ソーラーオプティマイザ
アプリケーション図
公開: 2018-01-25
| 更新済み: 2024-05-10
