onsemi NCV51563絶縁型デュアルチャンネルゲートドライバ

onsemi NCV51563絶縁デュアルチャンネル・ゲートドライバは、4.5Aソースおよび9Aシンクピーク電流をサポートしています。NCV51563は、パワーMOSFETとSiC MOSFETパワースイッチを駆動するための高速スイッチングを目的に構築されています。NCV51563は、短い整合伝搬遅延が特徴です。

onsemi NCV51563絶縁デュアルチャンネルゲートドライバは、2つの独立した5kV_RMS (UL1577定格）ガルバニック絶縁ゲートドライバチャンネルを実現しています。これらのチャンネルには、2つのローサイドスイッチ、2つのハイサイドスイッチ、またはプログラマブルデッドタイムが備わったハーフブリッジドライバの多くの可能な構成があります。

NCV51563には、ゲートドライバとデッドタイム調整機能の両方を対象とした独立した低電圧ロックアウトを始めとする、数多くの保護機能があります。

特徴

柔軟性に富んだデュアル下側、デュアル上側、またはハーフブリッジゲートドライバ
4.5Aのピークソース、9Aのピークシンク出力電流能力
両方の出力ドライバの独立したUVLO保護
6.5V ~30Vの出力電源電圧(MOSFET用5V、8V)、13Vおよび17Vの UVLO (SIC用、閾値付き）
コモンモード過渡耐性CMTI > 200V/ns
伝搬遅延標準36ns
- 1チャンネルあたり5nsの最大遅延マッチング
- 5ns（最大）のパルス幅歪み
ユーザーによるプログラムが可能な入力ロジック
- ANBを介したシングルまたはデュアル入力モード
- ENABLEまたはDISABLEモード

ユーザーがプログラミングできるデッドタイム
車載アプリケーション条件でAEC-Q100認定
絶縁性と安全性
- 1分間で5kV_RMS 絶縁(UL1577要件に準拠）
- 8000VPK強化絶縁電圧（VDE0884-11要件による）
- GB4943.1-2011に沿ったCQC認証
- IEC 62386-1に準じたSGS FIMO認証
無鉛デバイス