onsemi NCV8740高耐圧リニア・レギュレータ
onsemi NCV8740 高耐圧リニア・レギュレータは、車載グレード、高入力電圧に対応したLDOです。過酷な車載・産業環境において、高信頼性および低消費電力のレギュレーションを実現します。onsemi NCV8740は、3V~85Vの広い入力電圧範囲、最大100mAの出力電流に対応するため、車載バッテリレールその他の高電圧源への直接接続に適しています。これらは、3.3V固定出力バージョンとして、また1.2V~20Vまでプログラム可能な調整可能出力バージョンとして提供されています。出力電圧の精度±0.5% (+25°C)、全動作温度範囲における優れた電圧レギュレーションを実現します。このデバイスは、超低静止電流 (標準値5µA)、超低スタンバイ電流を特長としており、常時稼働の車載システムにおいてエネルギー効率に優れた動作をサポートします。1µFの小型セラミック・コンデンサによる安定な動作でコンパクトなPCBレイアウトが可能になり、ソフトスタート機能もあらかじめ統合されているため、スタートアップ動作中の突入電流制限に貢献します。onsemi NCV8740は、システム監視とシーケンス用にパワーグッド出力 (オープンドレイン) を搭載している他、外部コンデンサの設定によって遅延時間をプログラムできます。サーマル・シャットダウン、電流制限、低電圧ロックアウト、アクティブ出力放電などの保護機能を持ち、堅牢性と安全性を高めます。さらに、熱強化されたMSOP‑8 EPおよびDFNW‑8 3mm × 3mmパッケージで提供されます。AEC-Q101認定済みでPPAPに対応しており、NCV8740はボディ・エレクトロニクス、インフォティンメント、センサ・モジュール、および高精度の高電圧レギュレーションが求められるその他の車載・高信頼性アプリケーションに最適です。
特徴
- 3V~85Vの広い入力電圧範囲
- 出力電圧バージョン
- 3.3V固定 (要望に応じて他のバージョンも可能)
- 1.2V~20,0Vで調整可能
- 精度:±0.5%(TJ = +25°C時)
- 5µA(標準)超小自己消費電流
- 0.5µA 標準スタンバイ電流
- 1µFの出力セラミック・コンデンサによる安定した動作
- 遅延時間がプログラム可能なパワーグッド
- サーマルシャットダウンと電流制限保護
- を最小限に抑えるためのソフトスタート回路を内蔵
- アクティブ出力放電機能
- 熱強化されたMSOP8 EPおよびDFNW8 (ご要望に応じて) 3mm x 3mmパッケージ
- NCVで始まる製品番号は特有の工場および変更管理を必要とする車載およびその他の用途に対応 - AEC-Q100認定済み、PPAP対応
- リードフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- ボディ・コントロールおよびセンサ・モジュール
- オンボードチャージャ
- インフォテイメントおよびオーディオシステム
- 汎用車載
仕様
- 入力
- 動作入力電圧範囲: 3V~85V
- 入力電圧UVLO閾値:1.7V~3.0V
- 入力電圧UVLOヒステリシス:0.01V~0.5V
- 出力
- 出力電圧精度:±1.5% (Max.)
- 基準電圧:1.2V (Typ.) ADJ
- 入力電流:±100nA ADJ
- ラインレギュレーション:0.2% VOUT(最大)
- ロードレギュレーション:0.4% VOUT(最大)
- 830mV最高ドロップアウト電圧
- 出力電流制限範囲 :110mA~300mA
- 短絡電流:110mA~300mA
- アクティブ放電抵抗:50Ω (Typ.)
- 消費電流
- ディセーブル電流:5µA (Max.)
- 最大静止電流:15µA、
最大接地電流 :500µA
- イネーブル閾値
- イネーブル電圧閾値:0.3V~1.2V
- イネーブル電圧ヒステリシス:0.01V~0.3V
- イネーブル・ピンの漏れ電流:1µA (Max.)
- 出力ノイズ電圧:83µVRMS~130µVRMS(標準)
- 熱シャットダウン
- 標準温度:+170°C
- +15°C標準ヒステリシス
- 接合部温度:+150°C (Max.)
- +260°Cの最大リードハンダ付け温度
- 熱特性
- 接合部-大気間熱抵抗:35.4°C/W (DFNW-8) または 38.7°C/W (MSOP-8)
- 接合部-ケース間 (パッケージ上部経由) 熱抵抗:87.3°C/W (DFNW-8) または 102.0°C/W (MSOP-8)
- 接合部-ケース間 (パッケージ下部経由) 熱抵抗:10.3°C/W (DFNW-8) または 14.7°C/W (MSOP-8)
- 接合部-基板間 (パッケージ上部経由) 熱抵抗:10.1°C/W (DFNW-8) または 15.2°C/W (MSOP-8)
- 接合部-ケース間 (パッケージ上部経由) 熱特性パラメータ:7.4°C/W (DFNW-8) または 10.3°C/W (MSOP-8)
- 接合部-基板間 (FEM) 熱特性パラメータ:10.2°C/W (DFNW-8) または 15.5°C/W (MSOP-8)
- 最大ESD機能
- 2KV以上のHBMサージ電圧に対応
- デバイス帯電モデル (CDM) 1kV
代表的なアプリケーション図
内部ブロック図
公開: 2026-03-18
| 更新済み: 2026-03-25
