onsemi NCx57081 IGBT/MOSFETゲートドライバ

onsemi NCx57081 IGBT/MOSFETゲートドライバは、大電流シングルチャンネルIGBT/MOSFETゲートドライバで、3.75kVRMSの内部ガルバニック絶縁を有しています。これらのドライバば、補完入力を受け、アクティブミラークランプ、負電源、別個の高/低ドライバ出力といった出力オプションに対応してシステム設計の利便性を実現します。NCx57081ドライバは、広範な入力バイアス電圧および3.3V~20Vの信号レベルに対処し、ナローボディSOIC-8パッケージでご用意があります。代表的なアプリケーションには、モーター制御、無停電電源(UPS)、車載グレードアプリケーション、産業電源、ソーラーインバータ、HVACがあります。

特徴

  • 正確なマッチングによる短伝播遅延
  • 短絡時のIGBT/MOSFETゲートクランプ
  • IGBT/MOSFETゲート・アクティブ・プルダウン
  • バイアスの柔軟性に向けた厳しいUVLO閾値
  • 負のVEE2を含む広いバイアス電圧範囲(型式B)
  • 高過渡耐性
  • 高電磁気耐性
  • 低クランプ電圧降下によって、スプリアス・ゲート電
    源ONを防止する負の電源が不要(型式A)

仕様

  • 6.5A/-6.5Aの大ピーク出力電流
  • 3.3V、5V、15V論理入力
  • 3.75kVRMSの内部ガルバニック絶縁
  • 1315mWの消費電力
  • -40°C~150°C接合部温度範囲
  • -65°C~+150°C保管温度範囲

アプリケーション

  • モーター制御
  • 無停電電源(UPS)
  • 車載アプリケーション
  • 産業用電源
  • ソーラーインバータ
  • HVAC

ブロック図

公開: 2022-02-21 | 更新済み: 2022-03-11