onsemi NDSH20120CDN 炭化ケイ素（SIC）SCHOTTKYダイオード
onsemi NDSH20120CDN 炭化ケイ素（SIC）SCHOTTKYダイオードは、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高信頼性を実現しています。 TO-247-3LDパッケージのNDSH20120CDNには、逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性、優れた熱性能が特長です。システムの利点には、高効率、高速動作周波数、増加した電力密度、低減されたEMI、およびシステムサイズとコストの削減が含まれます。このEliteSiCダイオードは、正の温度係数と並列接続の容易さが備わっています。
特徴
- ジャンクション最高温度：+175°C
- アバランシェ定格、シングルパルス：49mJ
- 高サージ電流容量
- 正温度係数
- 並列処理が容易
- 逆/順方向リカバリなし
- TO-247-3LDケース
- ハロゲンフリーおよびRoHS準拠（exemption 7a、鉛フリー2LI 第2レベル相互接続時）
アプリケーション
- 汎用
- スイッチモード電源(SMPS)、ソーラーインバータ、無停電電源装置(UPS)
- パワースイッチング回路
仕様
- 最高ピーク反復逆電圧：1200V
- 最大連続順電流範囲：
- 20A〜24A（デバイスあたり）
- 10A〜12A（レッグあたり）
- 最大順サージ電流
- 非反復ピーク範囲：459A〜564A
- 非反復：59A
- 反復：31A
- 最大電力損失：
- 94W(+25°C時)
- 16W(+150°C時)
- 順方向電圧範囲：1.39V〜1.94V（標準）
- 最大逆電流：200µA
- 標準総容量電荷：46nC
- 標準総容量範囲：32pF（800V時）〜680pF（1V時）
- 最大熱抵抗：
- 0.65°C/W（接合部‐ケース、デバイスあたり）
- 1.6°C/W（ジャンクション-ケース、レッグあたり）
- 接合部・周囲間：40°C/W
- 動作温度範囲：-55°C～+175°C
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公開: 2024-02-09
| 更新済み: 2024-06-19