onsemi NST817汎用NPNトランジスタ

onsemi NST817汎用NPNトランジスタは、低電圧スイッチング、増幅、信号処理など、幅広い電子アプリケーション向けに設計されています。DFN1010-3パッケージに格納されており、優れた熱性能が備わっています 。中程度の電流処理能力が備わっているため、駆動リレー、スイッチングロジック信号といったタスクに優れており、オーディオと小信号回路の両方で信号アンプとして機能します。また信頼性の高い性能により、発振器回路、電流安定化、バイアスネットワークでの使用にも適しています。広い機能性が備わっているため、民生用電子機器から産業用制御システムに至るまで、さまざまな電子機器で使用されており、効率的で効果的なトランジスタ動作を必要とする回路設計を対象とした信頼性の高いソリューションを実現しています。

特徴

  • 最適な自動光学検査(AOI)のためのXDFNW3ウェッタブル・フランク・パッケージ
  • 固有のサイトと制御変更要件を必要とする車載用アプリケーションなどのためのNSVプレフィックス、AEC-Q101準拠、PPAP対応
  • 感湿性レベル(MSL)1
  • 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリーで、RoHSに準拠

アプリケーション

  • スイッチング回路
  • 増幅
  • 発振器回路
  • 電流安定化
  • リニアアプリケーションでの増幅段
  • バイアス回路
  • デジタルロジック回路
  • 電圧制御
  • 電力制御
  • トランジスタベースのセンサ

仕様

  • コレクタとエミッタ間の最高電圧:45VDC
  • コレクタとベース間の最高電圧:50VDC
  • エミッタとベース間の最高電圧:5.0VDC
  • コレクタ・ベース間とエミッタ・ベース間の最大カットオフ電流:100nA
  • 小信号
    • 遷移周波数:180MHz(typ.)
    • 出力容量:4.2pF(typ.)
    • 入力容量:52pF(typ.)
    • 15k標準入力インピーダンス(typ.)
    • ノイズ指数:0.75dB(typ.)
  • スイッチング特性
    • 標準遅延時間:9.8ns(typ.)
    • 標準立ち上がり時間:13ns(typ.)
    • ストレージ時間:483ns(typ.)
    • 標準立ち下がり時間:48ns(typ.)
  • 総電力損失:350mW(TA = +25°Cの場合)、+25°C以上で2.8mW/°Cディレーティング
  • ジャンクション-周囲環境熱抵抗:145°C/W
  • ジャンクション温度範囲:-65°C~++150°C

回路図

回路図 - onsemi NST817汎用NPNトランジスタ
公開: 2025-02-26 | 更新済み: 2025-03-04