onsemi NTMFS005P03P8ZシングルPチャンネルパワーMOSFET
Onsemi NTMFS005P03P8ZシングルPチャンネル・パワーMOSFETは、電力負荷スイッチ、バッテリ管理、および保護(逆電流、過電圧、逆負荷電圧)に最適です。-55°C ~ +150°C接合部温度範囲内で動作するNTMFS005P03P8Zは、-30Vドレイン・ソース間電圧、10Vで2.7mΩ オン抵抗、164Aドレイン/スタンバイ電流を供給します。onsemi NTMFS005P03P8Zは、省スペースと優れた熱伝導を実現する先進のパッケージテクノロジーを活用し、5mmx6mmSO8-FLパッケージに収められています。特徴
- システム効率を向上させる超低RDS (on)
- 省スペースと優れた熱伝導のための高度パッケージテクノロジー
- 5mm x 6mm、SO8-FLパッケージ
- 鉛フリー、ハロゲンフリー/BFRフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 保護
- 逆電流:
- 過電圧
- 逆負電圧
- パワー負荷スイッチ
- バッテリ管理
仕様
- -30V最高ドレイン・ソース間電圧
- ±25V最高ゲート・ソース間電圧
- -11A ~ -164A最大連続ドレイン電流範囲
- 0.9W ~ 104W最大電力損失範囲
- -597A最大パルスドレイン電流
- -1.0µA最大ゼロゲート電圧ドレイン電流
- ±10µA最大ゲート・ソース間リーク電流
- 165.8mJ最大シングルパルスドレイン・ソース間アバランシェエネルギー
- オン抵抗範囲での2.7mΩ ~ 4.4mΩ (最高)ドレイン・ソース間
- 順方向トランスコンダクタンス: 87S 標準
- 183nC標準全ゲート電荷
- 標準的な逆回復時間 57ns
- 充電時間: 34ns 標準
- 23ns標準放電時間
- 逆回復充電: 7nC 標準
- 標準静電容量
- 7,880pF入力
- 2,630pF出力
- 2,550pF逆方向転送
- 最大定常状態熱抵抗
- 1.2°C/W接合部からケースまで
- 接合部から周囲温度までの範囲40°C/W ~ 137°C/W
- 接合部動作温度範囲: -55°C ~ +150°C
公開: 2024-02-19
| 更新済み: 2024-03-05
