onsemi NVXK2VR40WXT2 Silicon Carbide (SiC) モジュール
onsemi NVXK2VR40WXT2SiC（シリコンカーバイド）モジュールは、1,200V、40m Ω 、55A3相ブリッジ・パワー・モジュールで、デュアル・インライン・パッケージ（DIP）に収納されています。このSiCモジュールは、全モジュール抵抗を低く抑えるようにコンパクトに設計されています。NVXK2VR40WXT2パワーモジュールは、AEC-Q101およびAQG324などの 車載規格に適合しています。このパワーモジュールは、無鉛、RoHS、UL94V-0に準拠しています。NVXK2VR40WXT2 SiCモジュールの温度センシングと最低の熱抵抗によって、xEVアプリケーションでのDC/DCおよびオンボード充電器に最適です。
特徴
- DIP Silicon Carbide (SiC) 3相ブリッジ・パワーモジュール
- ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：1200V
- 連続ドレイン電流 (ID) ：55A
- ドレイン－ソースon抵抗(RDS (ON)) ：40mΩ（標準）
- 動作時の接合部温度 (TJ) ：-55°C～175°C
- IEC60664-1およびIEC 60950-1に準じた沿面/空間距離
- モジュール全体の抵抗を低く抑えるコンパクト設計
- 完全トレーサビリティのためのモジュール・シリアライゼーション
- 無鉛
- RoHS およびUL94V-0準拠
- AEC-Q101およびAQG324などの車載認定
アプリケーション
- xEVアプリケーションのオンボードチャージャ用PFC
- EV-PHEV向け11kW～22kWオンボードチャージャ
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公開: 2024-08-02
| 更新済み: 2024-08-28