onsemi NXH020P120MNF1 SiCモジュール
onsemi NXH020P120MNF1 SiCモジュールは、F1モジュールに20MΩ 1200V SiC MOSFETハーフブリッジおよびNTCサーミスタを内蔵しています。 このモジュールの推奨ゲート電圧は18V～20Vです。NXH020P120MNF1は、より高い電圧と低熱抵抗で改善されたRDS(ON) が備わっています。
特徴
- 推奨ゲート電圧18V - 20V
- さらなる高電圧でのRDS(ON)が向上
- 低い熱抵抗
- 効率性の向上またはさらに高い電力密度を実現
- TIM有またはTIM無のオプション
- 信頼性の高い熱インターフェイスを実現する柔軟性に富んだソリューション
アプリケーション
- AC/DC変換
- DC/AC変換
- DC/DC変換
スキーム図
EliteSiCについて
公開: 2022-05-11
| 更新済み: 2024-06-18